[发明专利]发光二极管的驱动装置与其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201010149992.6 申请日: 2010-04-08
公开(公告)号: CN102215620A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 郭俊廷;林俊甫;谢政翰 申请(专利权)人: 明阳半导体股份有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光二极管 驱动 装置 与其 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的驱动装置,适用于驱动至少一第一发光二极管单元与一第二发光二极管单元,其特征在于,该驱动装置包括:

一资料传递单元,用以接收并储存一驱动资料,该驱动资料包括一第一资料与一第二资料,该第一资料对应于一第一驱动信号,该第二资料对应于一第二驱动信号;以及

一驱动单元,耦接于该资料传递单元,根据该第一资料驱动该第一发光二极管单元,根据该第二资料驱动该第二发光二极管单元;

其中,该驱动单元将该第一驱动信号区分为多个第一子驱动信号,将该第二驱动信号区分为多个第二子驱动信号,然后交错输出所述第一子驱动信号与所述第二子驱动信号以交错驱动该第一发光二极管单元与该第二发光二极管单元。

2.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,其中该驱动单元将一画面更新周期区分为多个第一子更新周期与多个第二子更新周期,所述第一子更新周期与所述第二子更新周期交错配置,且该驱动单元分别于所述第一子更新周期中输出所述第一子驱动信号,并分别于所述第二子更新周期中输出所述第二子驱动信号。

3.根据权利要求2所述的驱动装置,其特征在于,其中所述第一子更新周期互不相邻,所述第二子更新周期互不相邻。

4.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,其中该驱动单元包括:

一第一储存单元,耦接于该资料传递单元,用以储存该第一资料;以及

一第二储存单元,耦接于该资料传递单元,用以储存该第二资料。

5.根据权利要求4所述的驱动装置,其特征在于,其中该驱动单元还包括:

一选择电路,耦接于该第一储存单元与该第二储存单元,用以选择性输出该第一资料或该第二资料;

一脉波密度调变单元,耦接于该选择电路的输出,根据该选择电路的输出与一计数信号产生多个子工作周期;

一输出单元,耦接于该脉波密度调变单元,根据所述子工作周期产生所述第一子驱动信号与所述第二子驱动信号;以及

一计数单元,耦接于该脉波密度调变单元,用以输出该计数信号。

6.根据权利要求4所述的驱动装置,其特征在于,其中该驱动单元还包括:

一第一脉波密度调变单元,耦接于该第一储存单元,根据该第一资料与一第一计数信号输出多个第一子工作周期;

一第二脉波密度调变单元,耦接于该第二储存单元,根据该第一资料与一第二计数信号输出多个第二子工作周期;

一选择单元,耦接于该第一脉波密度调变单元与该第二脉波密度调变单元,用以选择性输出所述第一子工作周期或所述第二子工作周期;

一输出单元,耦接于该选择单元,根据所述第一子工作周期产生所述第一子驱动信号,根据所述第二子工作周期产生所述第二子驱动信号;以及

一计数单元,耦接于该第一脉波密度调变单元与该第二脉波密度调变单元,并分别输出该第一计数信号与该第二计数信号。

7.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,还包括:

一第一开关,耦接于该第一发光二极管单元的一端与一工作电压之间;

一第二开关,耦接于该第二发光二极管单元的一端与该工作电压之间;以及

一控制器,耦接于该第一开关、该第二开关、该资料传递单元与该驱动单元,用以控制该第一开关与该第二开关的导通与否。

8.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,还包括:

一第一开关,耦接于该第一发光二极管单元的一端与该驱动单元之间,该第一发光二极管的另一端耦接于一工作电压;

一第二开关,耦接于该第二发光二极管单元的一端与该驱动单元之间,该第二发光二极管的另一端耦接于该工作电压;以及

一控制器,耦接于该第一开关、该第二开关、该资料传递单元与该驱动单元,用以控制该第一开关与该第二开关的导通与否。

9.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,其中该驱动单元更于相邻的各该第一子驱动信号与各该第二子驱动信号之间输出一插黑信号。

10.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,其中该第一发光二极管单元与该第二发光二极管单元分别由N个及M个串接的发光二极管组成,其中N与M为正整数。

11.根据权利要求1所述的驱动装置,其特征在于,其中该资料传递单元与该驱动单元系整合于一驱动电路之中。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于明阳半导体股份有限公司,未经明阳半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010149992.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top