[发明专利]薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种用于制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：

利用栅极绝缘膜覆盖被图案化在衬底上的栅极电极；

在所述栅极绝缘膜上按顺序形成有机半导体层和电极膜；以及

在设置有所述有机半导体层和所述电极膜的所述衬底上形成负型光刻胶膜，并且，通过将所述栅极电极用作遮光掩模从所述衬底一侧进行背表面曝光，并进行随后的显影处理，来形成抗蚀剂图案，所述抗蚀剂图案用作通过刻蚀所述电极膜来形成源极-漏极所用的掩模。

2.根据权利要求1所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成时，在将设置有与所述栅极电极交叉的开口部分的曝光掩模布置在所述衬底一侧的情况下，进行所述背表面曝光。

3.根据权利要求1或2所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在所述有机半导体层和电极膜的形成时，所述电极膜在覆盖被图案化的所述有机半导体层的情况下被形成。

4.根据权利要求1或2所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在所述有机半导体层和电极膜的形成时，对于所述电极膜，形成被刻蚀为与所述有机半导体层的图案相同图案的第一电极膜、以及覆盖所述有机半导体层和所述第一电极膜的第二电极膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造薄膜晶体管的方法，还包括以下步骤：

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成之后，通过将所述抗蚀剂图案用作掩模来刻蚀在所述栅极电极上的所述电极膜以由所述电极膜形成所述源极-漏极。

6.根据权利要求5所述的用于制造薄膜晶体管的方法，还包括以下步骤：

在刻蚀所述电极膜之后，利用层间绝缘膜覆盖所述衬底，并在所述层间绝缘膜上形成连接到所述源极-漏极的各个配线。

7.根据权利要求1或2所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在所述有机半导体层和电极膜的形成时，所述电极膜在覆盖所述有机半导体层的情况下被形成，并且在所述电极膜上进一步形成掩模形成层，

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成时，将所述抗蚀剂图案形成在所述掩模形成层上，

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成之后，通过将所述抗蚀剂图案用作掩模来刻蚀在所述栅极电极上的所述掩模形成层，来形成掩模图案，并且

通过将所述掩模图案用作掩模来进行对在所述栅极电极上的所述电极膜的刻蚀，以由所述电极膜形成所述源极-漏极。

8.根据权利要求1或2所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在所述有机半导体层和电极膜的形成时，形成被刻蚀为与所述有机半导体层的图案相同图案的第一电极膜、以及覆盖所述有机半导体层和所述第一电极膜的第二电极膜，作为所述电极膜，并在所述电极膜上进一步形成掩模形成层，

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成时，将所述抗蚀剂图案形成在所述掩模形成层上，

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成之后，通过将所述抗蚀剂图案用作掩模来刻蚀在所述栅极电极上的所述掩模形成层，来形成掩模图案，并且

通过将所述掩模图案用作掩模来进行对在所述栅极电极上的所述电极膜的刻蚀，以由所述电极膜形成所述源极-漏极。

9.根据权利要求1或2所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在所述有机半导体层和电极膜的形成时，按顺序形成所述有机半导体层和所述电极膜，在所述电极膜上进一步形成掩模形成层，并将它们刻蚀为相同图案，

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成时，将所述抗蚀剂图案形成在所述掩模形成层上，

在所述光刻胶膜的形成和所述抗蚀剂图案的形成之后，通过将所述抗蚀剂图案用作掩模来刻蚀在所述栅极电极上的所述掩模形成层，来形成掩模图案，并且

通过将所述掩模图案用作掩模来进行对在所述栅极电极上的所述电极膜的刻蚀，以由所述电极膜形成所述源极-漏极。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的用于制造薄膜晶体管的方法，

其中，在形成所述掩模图案之后，进行在所述栅极电极的两侧在所述电极膜上各个配线的形成，并且

在所述电极膜的刻蚀时，通过将所述掩模图案和所述配线用作掩模来刻蚀所述电极膜。