[发明专利]发光二极管封装元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010150707.2 | 申请日： | 2010-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102194709A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡尚勋 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/68;H01L25/13;H01L33/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，其中该基底上设置有多个发光二极管芯片；
在这些发光二极管芯片上覆盖一透光性密封体，以形成多个发光二极管封装元件半成品；
将这些发光二极管封装元件半成品贴附于一可挠性背胶片的一侧；
在不切断该可挠性背胶片的状态下，以一既定尺寸来切割这些发光二极管封装元件半成品；
将一可挠性保护膜贴附至已切割的这些发光二极管封装元件半成品的与该可挠性背胶片相对的一侧；
将具有该可挠性保护膜与该可挠性背胶片的这些发光二极管封装元件半成品浸入一浆料中，使该浆料覆盖这些发光二极管封装元件半成品中未被该可挠性保护膜与该可挠性背胶片贴附之处；
自该浆料中移出这些发光二极管封装元件半成品；以及
对这些发光二极管封装元件半成品进行干燥处理，以在每一发光二极管封装元件半成品的侧壁形成一壁部。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该透光性密封体包括一荧光材料。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，在切割这些发光二极管封装元件半成品后，还包括将已切割的这些发光二极管封装元件半成品卷绕且贴附于一柱形工装用具的步骤。
4.根据权利要求3所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该干燥处理包括：
将该柱形工装用具沿其中心轴倾斜一角度并转动该柱形工装用具。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，在转动该柱形工装用具期间，对该柱形工装用具的圆周表面进行吹气。
6.根据权利要求4所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该角度在6°至30°的范围。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该可挠性保护膜是一聚酰亚胺膜。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该可挠性背胶片是一聚酰亚胺膜。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该浆料包括：溶剂、扩散剂、以及硅胶。
10.根据权利要求9所述的发光二极管封装元件的制造方法，其特征在于，该浆料的黏度低于1500cp。
11.一种发光二极管封装元件，其特征在于，是由下述构件所构成：
一基底，其中该基底形成有至少一电极；
至少一发光二极管芯片，其中该发光二极管芯片与该电极作电性接触；
一透光性密封体，覆盖该发光二极管芯片；以及
一壁部，围绕该透光性密封体，且其厚度小于0.3mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
