[发明专利]放大器电路以及收发机有效

专利信息
申请号: 201010151093.X 申请日: 2010-03-23
公开(公告)号: CN101847972A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 铃木俊秀 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H03F3/68 分类号: H03F3/68;H03F3/45;H03F1/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 郑小军;陈昌柏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 放大器 电路 以及 收发
【说明书】:

技术领域

这里讨论的实施例涉及一种放大器电路以及一种收发机。

背景技术

通常情况下,为了减少无线电收发机的功率消耗,会根据通信距离来改变信号输出功率。已经存在这样的技术,即根据信号输出功率来改变设置在收发机的最后一级中的起作用的(active)高输出放大器的个数,从而允许无线电收发机一直以最佳功率效率运行。

在“Fully Integrated CMOS Power Amplifier With Efficiency Enhancementat Power Back-Off”(G,Liu,P.Haldi,T.-J.K.Liu,and A.M.Niknejad,IEEEJournal of Solid-State Circuits,Vol.43,No.3,pp.600-609,March 2008)中公开了一种使用变压器的放大器电路。日本特开专利公开No.9-307367公开了一种使用多桥式单端推挽功率放大器(其对输入的RF输入信号进行放大并且将被放大的RF输入信号输出到共用的组合变压器)的功率组合方法,其中没有为组成桥式单端推挽电路(对其未输入RF信号)的晶体管提供偏压。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够防止不必要的功率损失和/或高频特性下降的放大器电路以及收发机。

根据本发明的一个方案,提供了一种放大器电路,该放大器电路包括第一场效应晶体管,该第一场效应晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号(one of differentialsignals),所述第一源极被连接到参考电位节点。该放大器电路还包括第二场效应晶体管,该第二场效应晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极,所述第二栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号(the other of thedifferential signals),并且所述第二源极被连接到参考电位节点。该放大器电路进一步包括第一变压器,该第一变压器包括相互磁耦合(magneticallycoupled together)的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈。该第一初级电感线圈被连接到所述第一场效应晶体管的第一漏极与所述第二场效应晶体管的第二漏极之间。所述第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间。该放大器电路还包括第一开关电路,其将电源电位节点或参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点。

根据本发明的另一方案,还提供一种收发机,包括:第一场效应晶体管,包括第一栅极、第一源极和第一漏极,所述第一栅极接收两个差动信号中的一个差动信号,并且所述第一源极被连接到参考电位节点;第二场效应晶体管,包括第二栅极、第二源极和第二漏极,所述第二栅极接收所述两个差动信号中的另一个差动信号,并且所述第二源极被连接到参考电位节点;第一变压器,包括相互磁耦合的第一初级电感线圈和第一次级电感线圈,所述第一初级电感线圈被连接到所述第一场效应晶体管的第一漏极与所述第二场效应晶体管的第二漏极之间,并且所述第一次级电感线圈被连接到输出端与参考电位节点之间;以及第一开关电路,将电源电位节点或参考电位节点连接到所述第一初级电感线圈的中间点。

附图说明

图1是示出放大器的示例性配置的电路图;

图2是示出另一示例性放大器配置的电路图;

图3是示出根据本发明第一实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图;

图4是示出图3所示的放大器的示例性操作的时序图;

图5是示出根据本发明第二实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图;

图6是示出根据本发明第三实施例的包括放大器电路的收发机的示例性配置的电路图;以及

图7是示出根据本发明第三实施例的包括放大器电路的收发机的示例性操作的示意图。

具体实施方式

(相关技术)

图1是示出放大器电路的示例性配置的电路图。放大器电路包括第一、第二和第三放大器111、112和113。放大器111、112和113中的每一个放大器均包括第一场效应晶体管101、第二场效应晶体管102、初级电感线圈(inductor)103和次级电感线圈104。初级电感线圈103和次级电感线圈104相互磁耦合以形成变压器。

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