[发明专利]离子辐射损伤预测方法和仿真器以及离子辐射设备和方法

权利要求书

1.一种离子辐射损伤预测方法，包含：

参数计算步骤，其通过考虑由轰击制造目标的入射离子跟踪的、作为到所述制造目标的路径的传输路径，以及通过采用将入射离子的通量的分布、入射离子的入射能量的分布以及入射离子的入射角度的分布作为输入参数的蒙特卡罗方法，来计算所述入射离子的碰撞位置和所述入射离子的入射角度；以及

缺陷分布计算步骤，

通过参考在所述参数计算步骤得到的信息以及由根据经典分子动力学或分子动力学的第一原理的计算所预先创建的数据库，来执行针对数据进行检索的检索操作，其中所述数据库用作：用于存储对所述制造目标具有影响的晶体缺陷量的分布的数据库、用于存储离子反射概率的分布的数据库以及用于存储离子穿透深度的分布的数据库，

基于在所述检索操作中得到的所述数据、轰击所述制造目标的所述入射离子的入射能量以及所述入射离子的入射角度，得到轰击所述制造目标的所述入射离子的穿透深度以及所述入射离子的穿透位置，以及

根据轰击所述制造目标的所述入射离子的所述穿透深度以及所述入射离子的所述穿透位置，计算所述制造目标中离子辐射所导致的缺陷的分布。

2.如权利要求1所述的离子辐射损伤预测方法，其中：

所述参数计算步骤包括：

第一步骤，其确定如下输入参数：入射离子所轰击的所述制造目标的薄膜类型、所述制造目标的结构、离子通量和离子辐射时间段，

第二步骤，其基于所述输入参数并且根据所述蒙特卡罗方法，确定表示在所述离子辐射时间段期间轰击所述制造目标的入射离子的数目的总入射离子计数N，

第三步骤，其得到入射离子J的入射能量以及所述入射离子J的入射角度，其中，表示入射离子的参考标记J是整数，其指示所述入射离子J是在所述离子辐射时间段期间轰击所述制造目标的所述入射离子的第J个入射离子，以及

第四步骤，其针对所述制造目标的形状，通过考虑由轰击制造目标的所述入射离子J跟踪的、作为到所述制造目标的路径的传输路径，并且通过采用所述蒙特卡罗方法，计算所述入射离子J的碰撞位置以及所述入射离子J的入射角度；而

所述缺陷分布计算步骤包括

第五步骤，其将通过参考所述入射离子J的入射能量E以及所述入射离子J的入射角度所得到的反射概率P与随机数ξ进行比较，以便产生关于如下确定的结果：所述入射离子J穿透所述制造目标，还是所述入射离子J由所述制造目标的表面反射，

第六步骤，如果在所述第五步骤产生的所述确定结果如关系ξ＞P成立这一事实所证明的那样指示所述入射离子J穿透所述制造目标，则所述第六步骤通过参考基于离子入射角度、离子入射能量和制造目标的薄膜类型，根据经典分子动力学或分子动力学的第一原理的计算所预先创建的、用作用于存储在所述制造目标中所述入射离子的分布的数据库的数据库，来针对数据进行检索，

第七步骤，其基于在第六步骤得到的所述数据、所述入射离子J的入射能量以及所述入射离子J的入射角度，得到所述入射离子J的穿透深度以及所述入射离子J的穿透位置，

第八步骤，其通过存储每个经处理的入射离子J的入射深度以及每个所述经处理的入射离子J的穿透位置来累积所述经处理的入射离子J所导致的缺陷的数据，并且将所述经处理的入射离子J的数目与所述总入射离子计数N进行比较，以便产生关于所述经处理的入射离子J的数目是否已经达到所述总入射离子计数N的确定的结果，

第十一步骤，如果在所述第八步骤产生的所述确定结果指示所述经处理的入射离子J的数目尚未达到所述总入射离子计数N，则所述第十一步骤根据表达式J＝J+1将所述整数J递增1，并且返回到所述第三步骤继续执行所述离子辐射损伤预测方法，

第九步骤，如果在所述第八步骤产生的所述确定结果指示所述经处理的入射离子J的数目已经达到所述总入射离子计数N，则所述第九步骤终止所述离子辐射损伤预测方法的执行，并且基于在所述第八步骤作为所述缺陷的数据所累积的数据来创建缺陷的分布，

第十步骤，如果在所述第五步骤产生的所述确定结果如关系ξ≤P成立这一事实所证明的那样指示所述入射离子J从所述制造目标的表面反射，则所述第十步骤确定所述入射离子J经历镜面反射处理，识别所述入射离子J的入射角度并且返回到所述第四步骤继续执行所述离子辐射损伤预测方法，以及

对第一入射离子J到第N入射离子J中的每一个执行范围从所述第三步骤到所述第十一步骤的步骤的序列。