[发明专利]一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器

说明书

技术领域

本发明涉及一种多通道NANDflash控制器，尤其涉及一种可以同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器。

背景技术

NANDflash在最近几年里得到了突飞猛进的发展，由1位/单元的SLC技术发展到了2位/单元甚至3位/单元的MLC(Multi Level Cell多层式储存)技术，同时NANDlash的生产工艺也不断进步。随着技术的发展，NANDflash容量不断增大，单位容量的成本也大幅降低，应用NANDflash的领域也越来越多。

当前应用中的NANDflash存储设备对带宽的要求越来越高，NANDflash控制器一般采用增加通道数量来提高带宽。一般的多通道NANDflash控制器只能提高连续读NANDflash或者连续写NANDflash的带宽。当随机读NANDflash和随机写NANDflash交替出现的时候，多通道NANDflash控制器的带宽优势就得不到发挥。

发明内容

本发明目的提供一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器，可以满足同时进行读写NANDflash的操作，且能提高在随机读NANDflash和随机写NANDflash交替出现情况下多通道NANDflash控制器的带宽。

一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器，由微控制器、设备控制器、设备端DMA控制器、系统存储器、系统存储器访问仲裁逻辑单元、NANDflash DMA写控制逻辑单元、NANDflash DMA读控制逻辑单元、NANDflash数据缓存区单元和NANDflash接口控制器逻辑单元构成。

微控制器，用于控制NANDflash控制器各单元；

设备控制器，以某种特定通讯协议和主控端进行数据传输；

设备端DMA控制器，用于控制设备控制器和存储器之间的数据传输；

系统存储器，用于暂存设备端和NANDflash控制器间传输的数据；

系统存储器访问仲裁逻辑单元，用于仲裁微控制器、设备端DMA控制器、NANDflash DMA写控制逻辑单元和NANDflash DMA读控制逻辑单元对系统存储器的访问请求；

NANDflash DMA写控制逻辑单元，用于在写NANDflash时控制从系统存储器到NANDflash数据缓存区的数据传输；

NANDflash DMA读控制逻辑单元，用于在读NANDflash时控制从NANDflash数据缓存区到系统存储器的数据传输；

NANDflash数据缓存区单元，用于缓存从系统存储器读出但来不及写入NANDflash的数据以及缓存从NANDflash读出但来不及写入系统存储器的数据；

NANDflash接口控制器逻辑单元，用于控制和NANDflash阵列之间的数据传输。

设备控制器的通讯协议可为IDE(Integrated Drive Electronics)、USB、SATA(Serial Advanced Technology Attachment)和PCIE(PedpherdComponent Interconnect express)等。

系统接收到读NANDflash和写NANDflash(读、写操作的地址不同，且不占用同一个通道)的命令时，写操作的数据由设备控制器接收并写入系统存储器，然后由NANDflash DMA写控制逻辑单元将写数据从系统存储器读出并写入NANDflash数据缓存区，进而由NANDflash接口控制器写入相应的NANDflash通道。在写操作执行的同时读操作的数据从NANDflash阵列读出写入NANDflash数据缓存区，并由NANDflash DMA读控制逻辑单元从NANDflash数据缓存区读出并写入系统存储器，在写操作完成后由设备控制器将数据从系统存储器读出并传送到主控端。系统存储器由双端口的SRAM(静态随机访问存储器)实现。

通过采用本发明提供的一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器，能够同时进行读写NANDflash的操作，并且能够有效提高在随机读NANDflash和随机写NANDflash交替出现情况下多通道NANDflash控制器的带宽，满足应用需求。

附图说明

图1一种可同时进行读写操作的多通道NANDflash控制器结构图

具体实施方案

以下结合附图，对本发明所提供的内容进行详细的描述。