[发明专利]一种集成电路工艺参数模型的优化方法无效
| 申请号： | 201010152160.X | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101840451A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 陈英涛;戴宏;唐翰犀 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650091 云南省*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 工艺 参数 模型 优化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路工艺参数模型的优化方法，其特征在于：以不同种类的从不同厂家、不同特征尺寸的不同晶片，不同批次集成电路晶片中提取的工艺参数建立工艺参数模型数据库；根据设计的电路的类型和特点，从数据库中选中数个工艺参数模型作为待优化对象，以数值统计分析方法为基础，对集成电路工艺参数模型进行优化；优化对象为代表不同工艺特征的参数模型。
2.如权利要求1所述的集成电路工艺参数模型的优化方法，其特征在于：利用以下三种数值统计分析法对模型进行优化，包括：采用模型参数算术平均优化法对模型进行优化；采用模型参数平方平均优化法对模型进行优化；采用模型参数中位数优化法对模型进行优化，优化结果需须通过仿真来判断和验证，如不能满足，通过改变优化工艺参数变化范围，或选择不同的优化方法再进行优化，直到得到优化模型能有效适应工艺参数的变化为止。
3.如权利要求1所述的一种集成电路工艺参数模型的优化方法，其特征在于：优化对象的优化模型的类型为BSIM3器件模型。
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