[发明专利]一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺

权利要求书

1.一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺，用于制造一种两次印刷电极的太阳能电池，所述的太阳能电池具有硅片，硅片表面分为电极栅线区域和电极非栅线区域，其特征在于：所述的太阳能电池制造工艺包含有刻槽工艺和两次印刷工艺，

所述的刻槽工艺为：在硅片表面的电极栅线区域刻槽，使电极栅线区域形成蚀槽；

所述的两次印刷工艺在刻槽工艺之后，具体为：a、第一次印刷电极：将印刷的电极浆料填入蚀槽并进行烘干，在蚀槽中形成第一层电极；b、第二次印刷电极：在第一层电极外表面印刷电极，使硅片表面电极栅线区域形成第二层电极。

2.根据权利要求1所述的一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺，其特征在于：

所述的刻槽工艺为：在硅片表面正面电极的电极栅线区域刻槽，使正面电极的电极栅线区域形成蚀槽，

所述的两次印刷工艺为：a、第一次丝网印刷正面电极：将印刷的银电极浆料填入蚀槽并进行烘干，使蚀槽中形成正面第一层电极；b、第二次丝网印刷正面电极：在第一层电极外表面丝网印刷银电极形成正面第二层电极。

3.根据权利要求1所述的一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺，其特征在于：

所述的刻槽工艺为：在硅片背表面表面背面电极的电极区域刻槽，使背面电极的电极栅线区域形成蚀槽，

所述的两次印刷工艺为：a、第一次丝网印刷背面电极：将印刷的银电极浆料填入蚀槽并进行烘干，使蚀槽中形成背面第一层电极；b、第二次丝网印刷背面电极：在第一层电极外表面丝网印刷银电极形成背面第二层电极。

4.根据权利要求1所述的一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺，其特征在于：所述的太阳能电池制造工艺还包含有生长氧化掩膜层工艺、清洗工艺和形成选择性发射极工艺，

所述的生长氧化掩膜层工艺为：在TCA条件下在硅片表面生长一层氧化掩膜层，所述的刻槽工艺在生长氧化掩膜层工艺之后，经刻槽后蚀槽区域的氧化掩膜层被去除，所述的清洗工艺在刻槽工艺之后，

所述的形成选择性发射极工艺在清洗工艺之后，具体为：a、将硅片进行POCL₃液态源N++重扩散，使电极栅线区域的蚀槽下方及两侧边形成N++重扩散区；b、用HF去除氧化掩膜层；c、将硅片进行POCL₃液态源N+浅扩散，电极非栅线区域形成N+浅扩散区，硅片形成选择性发射极。