[发明专利]晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法无效

专利信息
申请号: 201010152172.2 申请日: 2010-04-20
公开(公告)号: CN102237433A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 吴国强 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶体 太阳能电池 液体 氧化 钝化 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法,其特征在于:将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜,进行氮化硅镀膜工艺。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法,其特征在于:将硅片放入具有一体化液体环境的设备中,对硅片进行清洗、扩散,在硝酸或氟化氢对硅片的背面进行去磷硅玻璃及刻边,再用氟化氢浸泡,将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜,进行氮化硅镀膜工艺。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法,其特征在于:将硅片进行等离子干刻和液体湿刻,对硅片进行清洗、扩散,再对硅片进行等离子刻边,用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃,将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜,进行氮化硅镀膜工艺。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的液体氧化钝化方法,其特征在于:对硅片进行清洗、扩散,用氟化氢浸泡硅片并去磷硅玻璃,将硅片放入热氧化液体浸泡制备超薄二氧化硅薄膜,进行氮化硅镀膜工艺。

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