[发明专利]一种低温制备介孔碳化硅材料的方法无效
| 申请号： | 201010152336.1 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101823713A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 张海娇;赵兵;陶海华;宋劲松;张国华;焦正 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 制备 碳化硅 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温制备介孔碳化硅材料的方法，其特征在于具有以下的制备过程和步骤：
a.取一定量的介孔二氧化硅SBA-15或KIT-6、蔗糖、硫酸和去离子水相混合，介孔二氧硅、蔗糖、硫酸和去离子水四者的质量比为1∶0.71∶0.14∶3；先在100℃下处理6小时，再在160℃下处理6小时；接着在500～750℃下并在氮气保护下碳化6小时，使蔗糖碳化，得到介孔二氧化硅中填充有碳的复合物；该复合物简称为C/SBA-15或C/KIT-6；
b.然后将Mg粉与上述的C/SBA-15或C/KIT-6以质量比1∶2相混合，并在500～700℃下在氮气保护下反应6小时；
c.将所得产物在10％HF水溶液中清洗3～5小时，然后在2～4M的HNO3水溶液中清洗6～8小时；经过滤、洗涤、烘干后，即制得介孔SiC材料。
2.根据权利要求1所述的一种低温制备介孔碳化硅材料的方法，其特征在于所述的介孔二氧化硅SBA-15或KIT-6为传统常规工艺方法制得；主要为由三嵌段高聚物P123在盐酸水溶液中溶解后加入硅酸乙酯，经搅拌后，装入塑料瓶中于90～100℃老化1～2天，最后将产物过滤、洗涤、烘干并在550～600℃上煅烧6小时，最终得到介孔二氧化硅材料SBA-15或KIT-6。
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