[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置

权利要求书

1.一种半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，该生长装置包括：真空室、石墨坩埚和感应 线圈，其中，所述真空室包括炉体和炉盖；所述炉体内设有石墨坩埚和感应线圈，且所述 感应线圈围绕于石墨坩埚外壁；所述炉体侧壁设有隔离腔进/抽气口，炉体底部还设有与真 空泵相连通的抽气口；且所述炉体侧壁内部从内到外依次设有相互独立的隔离腔和冷却水 腔。

2.如权利要求1中所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述隔离腔 内充有高纯惰性气体或为真空。

3.如权利要求1中所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述炉盖的 侧壁内部从内到外依次设有相互独立的隔离腔和冷却水腔，所述炉盖顶部设有中空的冷却 水腔，且所述炉盖顶部内的冷却水腔与炉盖侧壁内的冷却水腔连通。

4.如权利要求1中所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述石墨坩 埚和感应线圈之间还设有保温材料层。

5.如权利要求1中所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述炉体内 还设有温度传感器和压力传感器。

6.如权利要求1中所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述炉体侧 壁分别设有冷却水入口和冷却水出口。

7.如权利要求6中所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述冷却水 入口位于炉体的下部侧壁，所述冷却水出口位于炉体的上部侧壁。

8.如权利要求1-7中任一所述的半绝缘碳化硅体单晶的生长装置，其特征在于，所述 炉体和炉盖的材质为金属。

9.一种半绝缘碳化硅体单晶的生长方法，该方法在权利要求1-8中任一所述的半绝 缘碳化硅体单晶的生长装置中进行。