[发明专利]一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件与方法无效
| 申请号： | 201010153505.3 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101814527A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 使用 光电子 注入 进行 电导 调制 功率 器件 方法 | ||
1.一种使用光电子注入进行电导调制的功率器件，其特征在于，该功率器件包括至少一个光电子注入光源和一个功率MOS晶体管。
2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述的光电子注入光源为发光二极管。
3.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述的功率MOS晶体管为平面型功率MOS晶体管，或为沟槽栅功率MOS晶体管。
4.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述光电子注入光源的正极与所述功率MOS晶体管的栅极相连，所述光电子注入光源的负极与所述功率MOS晶体管的源极相连。
5.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述光电子注入光源的负极与所述功率MOS晶体管的栅极相连，所述光电子注入光源的正极与所述功率MOS晶体管的源极相连。
6.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述光电子注入光源置于所述功率MOS晶体管衬底表面的上方。
7.一种使用光电子注入对功率器件进行电导调制的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
光电子注入光源对功率MOS晶体管的衬底表面进行垂直照射；
所述功率MOS晶体管栅极下方的漂移区被注入光电子；
通过控制光电子的注入可以对光电导体进行电导控制；
光电导体电阻的降低致使功率MOS晶体管的导通电阻降低。
8.如权利要求7所述的使用光电子注入对功率器件进行增强的方法，其特征在于，所述的光电子注入光源为发光二极管。
9.如权利要求7所述的使用光电子注入对功率器件进行增强的方法，其特征在于，所述的功率MOS晶体管为平面型功率MOS晶体管或为沟槽栅功率MOS晶体管。
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