[发明专利]一种制备超窄槽的方法

权利要求书

1.一种制备超窄槽的方法，其包括如下步骤：

1)在衬底上制备化学机械抛光停止层；

2)淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；

3)将上述多晶硅加工成窄槽，具体包括：

3-a)在多晶硅层上涂光刻胶，通过光刻定义出线条；

3-b)通过干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到多晶硅上，形成多晶硅线条，并去掉光刻胶；

3-c)通过热氧化工艺在多晶硅线条的上表面和左右两个侧面形成氧化硅膜；

3-d)再淀积第二层多晶硅，以化学机械抛光停止层为准，化学机械抛光多晶硅，制备出氧化硅细线条；

3-e)湿法腐蚀氧化硅，形成多晶硅窄槽；

4)将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，实现在衬底材料上制备超窄槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)具体包括：

1-a)在衬底上淀积一氮化硅层；

1-b)在氮化硅层上涂光刻胶，光刻定义出将要作为化学机械抛光停止层的区域；

1-c)通过湿法腐蚀工艺将光刻胶上的图形转移到氮化硅层上；

1-d)去掉光刻胶。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤4)具体包括：

4-a)刻蚀窄槽内氮化硅至衬底；

4-b)继续刻蚀衬底材料，得到衬底材料的超窄槽，与此同时，多晶硅也被刻蚀干净；

4-c)最后通过湿法腐蚀工艺去除剩余氮化硅。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，淀积多晶硅和氮化硅采用化学气相沉积法。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，刻蚀氮化硅、衬底材料和多晶硅采用各向异性干法刻蚀。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，化学机械抛光停止层的厚度为150-500nm。

7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，步骤2)中，氮化硅层的厚度为50-150nm。