[发明专利]一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅及其制造方法有效
| 申请号： | 201010153744.9 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101847655A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;克里丝 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 沟槽 mos 器件 性能 及其 制造 方法 | ||
1.一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅，包括层叠在栅极沟槽中的栅介质层和多晶栅层，该栅介质层具有分别位于栅极沟槽侧壁和底端的侧壁部分和底端部分，该侧壁部分为氧化硅，其特征在于，该底端部分包括依次层叠的第一氧化硅层、化学机械抛光终止层和第二氧化硅层。
2.如权利要求1所述的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅，其特征在于，该化学机械抛光终止层为氮化硅或氮氧化硅。
3.如权利要求1或2所述的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅，其特征在于，该第一氧化硅层、化学机械抛光终止层和第二氧化硅层的厚度范围分别为100～200埃、200～1000埃和500～3000埃。
4.一种权利要求1所述的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅的制造方法，包括以下步骤：a、提供一硅衬底；b、在硅衬底上进行刻蚀工艺形成栅极沟槽；其特征在于，该方法还包括以下步骤：c、进行化学气相沉积工艺沉积第一氧化硅层和化学机械抛光终止层；d、进行化学气相沉积工艺沉积媒介氧化硅层；e、进行化学机械抛光工艺去除栅极沟槽外的媒介氧化硅层；f、进行湿法刻蚀工艺去除栅极沟槽外的化学机械抛光终止层；g、进行湿法刻蚀工艺去除栅极沟槽内的媒介氧化硅层侧墙；h、进行湿法刻蚀工艺去除栅极沟槽内的化学机械抛光终止层侧墙；i、进行湿法刻蚀工艺去除未被化学机械抛光终止层覆盖的氧化硅；j、进行化学气相沉积工艺沉积第二氧化硅层和多晶硅层；k、进行化学机械抛光工艺去除栅极沟槽外的多晶硅层。
5.如权利要求1所述的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅制造方法，其特征在于，在步骤f和步骤h中，所述湿法刻蚀的刻蚀液为磷酸。
6.如权利要求1所述的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅制造方法，其特征在于，在步骤g和步骤i中，所述湿法刻蚀的刻蚀液为稀释氢氟酸。
7.如权利要求1所述的可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅制造方法，其特征在于，在步骤d中，通过高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积媒介氧化硅层。
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