[发明专利]一种可改善回跳性能的LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种可改善回跳性能的LDMOS器件，包括硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、漏极、漏极漂移区、栅极及其侧墙，该高压阱形成在该硅衬底中，该源极漂移区和漏极漂移区形成在该高压阱中且排布在栅极两侧，该源极和漏极分别形成在该源极漂移区和漏极漂移区中，其特征在于，该LDMOS器件还包括设置在高压阱中且毗邻源极漂移区的减阻块，该减阻块与高压阱掺杂类型相同且其杂质浓度高于该高压阱。

2.如权利要求1所述的可改善回跳性能的LDMOS器件，其特征在于，该源极和漏极分别通过设置在源极漂移区和漏极漂移区的近栅沟槽隔离结构与栅极隔离，并分别通过设置在远离栅极一侧的远栅沟槽隔离结构与高压阱隔离。

3.如权利要求1所述的可改善回跳性能的LDMOS器件，其特征在于，该LDMOS器件为N沟道LDMOS器件，该硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、栅极、漏极、漏极漂移区和减阻块的掺杂类型分别为P型、P型、N型重掺杂、N型轻掺杂、N型重掺杂、N型重掺杂、N型轻掺杂和P型。

4.如权利要求1所述的可改善回跳性能的LDMOS器件，其特征在于，该LDMOS器件为P沟道LDMOS器件，该硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、栅极、漏极、漏极漂移区和减阻块的掺杂类型分别为P型、N型、P型重掺杂、P型轻掺杂、P型重掺杂、P型重掺杂、P型轻掺杂和N型。

5.一种权利要求1所述的可改善回跳性能的LDMOS器件的制造方法，包括以下步骤：a、提供一硅衬底；b、进行离子注入工艺和退火工艺在该硅衬底形成高压阱；c、进行离子注入工艺和退火工艺在该高压阱形成源极漂移区和漏极漂移区；d、在高压阱上制作栅极及其侧墙；e、进行离子注入工艺和退火工艺分别在源极漂移区和漏极漂移区形成源极和漏极；其特征在于，该方法在步骤c和d之间还具有步骤c1：进行离子注入工艺和退火工艺在高压阱中且毗邻源极漂移区形成减阻块，该步骤c1和步骤b中的离子注入工艺的注入杂质类型相同。

6.如权利要求5所述的可改善回跳性能的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，形成高压阱、源极、源极漂移区、栅极、漏极、漏极漂移区和减阻块的离子注入工艺分别为P型、N型重掺杂、N型轻掺杂、N型重掺杂、N型重掺杂、N型轻掺杂和P型离子注入工艺。

7.如权利要求6所述的可改善回跳性能的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，形成减阻块的离子注入工艺的注入杂质为硼，注入能量为1200kev，注入剂量为1×10¹³cm^-2。

8.如权利要求5所述的可改善回跳性能的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，形成高压阱、源极、源极漂移区、栅极、漏极、漏极漂移区和减阻块的离子注入工艺分别为N型、P型重掺杂、P型轻掺杂、P型重掺杂、P型重掺杂、P型轻掺杂和N型离子注入工艺。

9.如权利要求5所述的可改善回跳性能的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，该方法在步骤b和c之间还具有在高压阱栅极区域两侧分别制作近栅沟槽隔离结构，并在源极和漏极区域两侧分别制作远栅沟槽隔离结构的步骤。