[发明专利]硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法无效
申请号: | 201010153823.X | 申请日: | 2010-04-23 |
公开(公告)号: | CN101850970A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 刘来宝;朱志翔;孙余凭 | 申请(专利权)人: | 连云港佳宇电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B31/36 | 分类号: | C01B31/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 222115 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 切割 加工 砂浆 室温 条件下 资源 利用 方法 | ||
1.一种硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法。其特征在于,所述方法包括如下步骤:
步骤一,在硅片切割加工砂浆中加入界面改性剂,混合均匀,界面改性剂用量为1%-20%(重量比);
步骤二,将步骤一中的混合物通过机械分离器进行一级或多级机械分离,得到固相物和液相物;
步骤三,将步骤二中所得固相物进行碱洗、酸洗和清洗,所得湿料经烘干、分级后,得高纯度碳化硅产品;
步骤四,将步骤二中所得液相物通过强酸强碱型离子交换树脂去除离子,控制离子含量、电导率等两项关键指标;再经过脱色剂脱色,机械分离器分离后得到回收切削液;
上述步骤一到步骤四,除步骤三中所述湿料烘干可根据干燥工序需要有必要提高烘干温度外,其余所有操作过程均在室温条件下进行作业。
2.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于:硅片切割加工砂浆包括太阳能级硅片切割加工砂浆和电子级硅片切割加工砂浆。
3.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于,步骤一中所述界面改性剂包括下述物质中的一种或多种的混合物:
a、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、平均分子量200~10000Dalton的聚乙二醇;
b、丙二醇;
c、非离子表面活性剂;
d、聚乙二醇单油酸醋、聚乙二醇双油酸醋、聚乙二醇单硬脂酸酷、聚乙二醇双硬脂酸醋中的一种或几种混合物;
d、聚氧乙烯仲烷基醇醚渗透剂;
e、粘度调节剂,该粘度调节剂的主要成分为含多轻基的聚丙烯酸酯。
4.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于,步骤二、四中所述机械分离器包括过滤器、沉降池、刮板沉降器、斜板沉降器、卧式离心机、立式离心机、管式离心机和旋流器中的一种或几种组合。
5.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于,步骤三中所述碱洗所用的碱是液体或固体的金属氢氧化物;酸洗所用的酸为无机酸或有机酸,或者有机酸与无机酸的混合物;所述酸是纯酸或酸溶液;清洗时用洁净的清水,在清洗后再经机械分离得到碳化硅湿料。在此所述的金属氢氧化物为氢氧化钠、氢氧化钾或碳酸钠;所述无机酸为硫酸、碳酸、硝酸、盐酸、氢氟酸;所述有机酸为醋酸、草酸、柠檬酸。
6.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于,步骤三中所述在烘干湿料时所用的烘干方法包括:流化床干燥法、固定床干燥法;烘干温度40~150℃,烘干压力包括常压干燥和真空干燥;所述分级方法包括:筛分法和气流法分级。
7.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于,步骤四中所述控制金属离子含量是指液相物通过强酸强碱型离子交换树脂后体系中金属离子含量≤30ppm;所述控制电导率是指液相物通过强酸强碱型离子交换树脂后体系的电导率在摄氏温度为25℃时小于20μs/cm。
8.根据权利要求1所述硅片切割加工砂浆在室温条件下的资源化利用方法,其特征在于,步骤四中所述脱色剂包括活性炭、聚合氯化铝、带阳离子的金属盐、高分子有机脱色剂中的一种或几种。
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