[发明专利]配线结构的制造方法及配线结构

权利要求书

1.一种配线结构的制造方法，包括：

准备基板的基板准备工序；

在所述基板上形成半导体层的半导体层形成工序；

在所述半导体层上形成包含掺杂剂的含掺杂剂半导体层的含掺杂剂半导体层形成工序；

通过在包含水分子的氧化性气体氛围中加热所述含掺杂剂半导体层的表面而在所述含掺杂剂半导体层的所述表面形成氧化层的氧化层形成工序；

在所述氧化层上形成合金层的合金层形成工序；以及

在所述合金层上形成配线层的配线层形成工序。

2.根据权利要求1所述的配线结构的制造方法，其中，所述氧化层形成工序包括：用所述氧化性气体对水进行鼓泡而使所述氧化性气体包含水分子的鼓泡工序。

3.根据权利要求2所述的配线结构的制造方法，其中，所述半导体层形成工序形成非晶硅作为所述半导体层；所述含掺杂剂半导体层形成工序形成包含所述掺杂剂的硅层作为所述含掺杂剂半导体；所述氧化层形成工序使用臭氧气体作为所述氧化性气体，通过在所述臭氧气体中，在200℃以上300℃以下的温度下对包含所述掺杂剂的硅层进行加热而在包含所述掺杂剂的硅层的表面形成硅氧化层。

4.根据权利要求3所述的配线结构的制造方法，其中，所述合金层形成工序形成包含Cu和添加元素的Cu合金层作为所述合金层；所述配线层形成工序形成Cu层作为所述配线层。

5.根据权利要求4所述的配线结构的制造方法，其中，进一步包括通过在200℃以上300℃以下的温度进行加热而使包含在所述Cu合金层中的所述添加元素稠化来形成扩散阻隔层的扩散阻隔层形成工序。

6.根据权利要求5所述的配线结构的制造方法，其中，所述合金层形成工序形成所述Cu中作为所述添加元素添加有从由Ni、Co、Mn、Zn、Mg、Al、Zr、Ti、Fe及Ag构成的组中的至少一种金属元素的所述Cu合金层。

7.根据权利要求5所述的配线结构的制造方法，其中，所述合金层形成工序形成包含Cu以及包含在所述Cu中的浓度为1at％以上5at％以下的Ni或Mn的所述Cu合金层。

8.根据权利要求6或7所述的配线结构的制造方法，其中，所述配线形成工序形成包含3N以上的无氧铜的所述Cu层。

9.根据权利要求5所述的配线结构的制造方法，其中，所述合金层形成工序通过对铜合金溅射靶材进行溅射而在所述氧化层上形成所述合金层，所述铜合金溅射靶材为将作为所述添加元素的选自由Ni、Co、Mn、Zn、Mg、Al、Zr、Ti、Fe及Ag构成的组中的至少一种金属元素添加到所述Cu中而形成的铜合金溅射靶材，或者为包含Cu以及包含在所述Cu中的浓度为1at％以上5at％以下的Ni或Mn的铜合金溅射靶材；所述配线层形成工序通过对包含3N以上的无氧铜的铜溅射靶材进行溅射而在所述合金层上形成所述配线层。

10.一种配线结构，包括：基板；设置在所述基板上的半导体层；设置在所述半导体层上、包含掺杂剂的含掺杂剂半导体层；设置在所述含掺杂剂半导体层的表面的氧化层；设置在所述氧化层上的合金层；以及设置在所述合金层上的配线层。

11.根据权利要求10所述的配线结构，其中，所述半导体层为非晶硅层，所述含掺杂剂半导体层为包含所述掺杂剂的硅层，所述氧化层为通过包含所述掺杂剂的硅层表面的氧化而形成的硅氧化层，所述合金层为包含Cu和添加元素的Cu合金层，所述配线层为Cu层。