[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)具有轻、薄、小等特点，加上其具有功耗低、无辐射和制造成本相对较低的优点，目前在平板显示领域占主导地位。TFT-LCD非常适合应用在台式计算机、掌上型计算机、个人数字助理(PDA)、便携式电话、电视和多种办公自动化和视听设备中。

液晶显示面板是液晶显示器的主要组件。随着大尺寸液晶显示器的不断出现，为了解决广视角(Wide Viewing Angle)问题，即当使用者分别从屏幕的正前方与斜前方观看图像时，其所看到的图像的亮度并不相同，通常从正前方所看到的图像亮度会大于从斜前方所看到的图像亮度，一种多畴垂直配向(Multi-Domain Vertical Alignment，MVA)式液晶显示面板应运而生，MVA式液晶显示面板采用介电异向性为负的负型液晶材料，即当液晶显示面板未加电时，液晶分子是以垂直于液晶显示面板的方式排列。

请参见图1及图2所示，图1是一种现有MVA式液晶显示面板的一像素结构示意图，为了图示的清楚起见，省略了其中的彩色滤光片基板；图2是沿图1中A-A线的剖面图。如图2所示，液晶显示面板包括位于下层的薄膜晶体管阵列基板(也称为TFT阵列基板)1、位于上层的彩色滤光片基板(也称为CF基板)2以及夹在TFT阵列基板1和CF基板2之间的液晶层3，液晶层3由多个液晶分子构成。如图1所示，TFT阵列基板1包括多条扫描线10、多条数据线11以及由多条扫描线10与多条数据线11垂直交叉排列限定的多个像素区域12，其中图1仅揭示其中一个像素区域12。像素区域12中形成有像素电极14，像素电极又分为两个次像素电极141、142，两个次像素电极141、142之间形成有狭缝(slit)18。第一、第二薄膜晶体管15、16形成于扫描线10与数据线11的交叉位置附近，分别用于控制两个次像素电极141、142。第一、第二薄膜晶体管15、16均包括栅极G、源极S及漏极D。第一、第二薄膜晶体管15、16的栅极G分别与不同的扫描线10电性连接，其源极S与同一数据线11电性连接，而其漏极D分别与两个次像素电极141、142电性连接。如图2所示，CF基板2上依次形成有黑色矩阵(Black Matrix，BM)22、彩色滤光层23以及覆盖在黑色矩阵22和彩色滤光层23上的公共电极24。此外，CF基板2还包括在公共电极上对应于两个次像素电极141、142的位置设置的凸起物(bump)28。由于该凸起物28的存在，使得液晶分子在未施加电压时趋向垂直于凸起物28所在的表面倾倒，即液晶分子具有朝不同方向倾斜的预倾角，从而，有效迅速地控制液晶显示面板加电后的液晶分子的倾斜方向，提高液晶分子的响应速度，当液晶显示面板正常工作后，液晶层70即可分割为具有不同倾斜方向的多个液晶微域，以有效改善液晶显示面板的广视角特性。

然而，现有的这种液晶显示面板为了提高液晶分子的响应速度，需要使得液晶分子在未加电时即具有预倾角，而为了形成该预倾角，需要在CF基板2上通过增加一道光罩制程来另外形成凸起物28，另外，为了不影响液晶显示面板的开口率，凸起物28通常由透明材料形成，而凸起物28的存在一般会引起液晶显示面板暗态时的漏光，从而导致液晶显示面板的对比度下降。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的以上问题而提出了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和应用其的液晶显示装置。

本发明的一方面提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包括透明基板以及形成于透明基板上的复数条扫描线、复数条数据线和多个像素区域，其中每个像素区域由相邻两条扫描线与相邻两条数据线相互交叉形成，其包括像素电极以及用于控制所述像素电极的薄膜晶体管，在所述像素电极上覆盖有绝缘层，并且所述绝缘层上设置有拉力配向开孔，所述每个像素区域还包括第一推力配向电极和第二推力配向电极，其中，所述第一推力配向电极与所述第二推力配向电极在所述透明基板上的投影分别位于像素电极的相对两侧，当薄膜晶体管阵列基板工作时，在所述拉力配向开孔处形成斜向拉力电场，所述第一推力配向电极与所述像素电极之间以及所述第二推力配向电极与所述像素电极之间分别形成横向推力电场。

本发明的另一方面提供了一种液晶显示装置，其包括液晶显示面板及连接液晶显示面板的驱动电路，所述液晶显示面板包括上述的薄膜晶体管阵列基板、具有公共电极的彩色滤光片基板以及夹在两个基板之间的液晶层。