[发明专利]浅沟槽隔离的制作方法有效
| 申请号： | 201010154803.4 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222636A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈碧钦;宋化龙;沈忆华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，包括：
提供表面覆盖有掩膜结构的半导体衬底，所述掩膜结构上形成有暴露半导体衬底的开口；
以掩膜结构为掩膜，在半导体衬底上刻蚀出与所述开口相对应的沟槽；
在所述沟槽的侧壁以及底部形成衬氧化层；
在氩气气氛下进行退火；
在所述沟槽内填充绝缘介质，形成浅沟槽隔离。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述氩气流量为0.5～10slm。
3.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述退火时的气压为1～760torr，退火温度为800～1150摄氏度，退火时间为1～300分钟。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述掩膜结构是氮化硅掩膜层、碳化硅掩膜层以及多晶硅掩膜层的单层结构或者任意组合叠层结构。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述掩膜结构是介质层、掩膜层依次叠加的叠层结构。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述刻蚀半导体衬底的方法是各向异性等离子刻蚀。
7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述刻蚀为利用包括由溴化氢、氦、氧以及六氟化硫等气体形成的等离子体刻蚀。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述形成衬氧化层采用炉管热氧化法或现场蒸汽生成工艺。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，在形成衬氧化层后、沟槽内填充绝缘介质前，还包括：去除衬氧化层，形成第二衬氧化层。
10.如权利要求9所述的钱沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述去除衬氧化层，采用选择性湿法刻蚀工艺。
11.如权利要求9所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述形成第二衬氧化层采用炉管热氧化法或现场蒸汽生成工艺。
12.如权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，在形成浅沟槽隔离后，还包括：去除掩膜结构，在半导体衬底表面形成牺牲氧化层。
13.如权利要求12所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于，所述形成牺牲氧化层，采用炉管热氧化法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
