[发明专利]过电流保护元件

权利要求书

1.一种过电流保护元件，其特征在于，包含：

二金属箔片；

一PTC材料层，叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm，其包含：

(i)多种结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物；

(ii)一导电镍金属填料，其粒径大小介于0.1μm至15μm之间，体积电阻值小于500μΩ-cm；及

(iii)一非导电氮化金属填料；

其中该导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中；以及

一包覆材料层，包覆该二金属箔片及PTC材料层，且包含与硬化剂反应形成的环氧树脂，该硬化剂具氨基化合物官能基。

2.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该PTC材料层的厚度大于0.1mm。

3.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该PTC材料层的起始电阻值小于15mΩ。

4.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物包含聚烯烃聚合物。

5.根据权利要求4所述的过电流保护元件，其特征在于，该聚烯烃聚合物包括低密度聚乙烯或聚乙烯蜡。

6.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物包含烯烃单体与压克力单体的共聚合物。

7.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物包含烯烃单体与乙烯醇单体的共聚合物。

8.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该非导电氮化金属填料包括氮化铝、氮化硼或氮化硅。

9.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该非导电氮化金属填料，粒径大小介于0.1μm至30μm之间。

10.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该非导电氮化金属填料的体积百分比介于1％至30％之间。

11.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，另包含二金属电极片，该二金属电极片分别连接该二金属箔片。

12.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该环氧树脂包含双酚A环氧树脂或双酚F环氧树脂。

13.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该包覆材料层中环氧树脂的含量为体积百分比40～88％之间。

14.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该硬化剂使用的官能基至少包括-R-NHCO-R-，其中R为烷基、苯基、联苯基或萘基。

15.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该硬化剂包含聚酰胺或双氰胺。

16.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该包覆材料层中硬化剂的含量为体积百分比介于10～25％之间。

17.根据权利要求1所述的过电流保护元件，其特征在于，该包覆材料层另包含一非导电填充材料。

18.根据权利要求17所述的过电流保护元件，其特征在于，该非导电填充材料包含黏土、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化镁、氢氧化镁、氢氧化铝、氮化铝或氮化硼。

19.根据权利要求17所述的过电流保护元件，其特征在于，该包覆材料层中非导电填充材料的含量为体积百分比介于2～45％。