[发明专利]粘合剂,配线端子的连接方法和配线结构体有效

专利信息
申请号: 201010155619.1 申请日: 2000-08-25
公开(公告)号: CN101906274A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 有福征宏;渡边伊津夫;本村耕治;小林宏治;后藤泰史;藤绳贡 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: C09J4/06 分类号: C09J4/06;C09J7/02;H01L21/60;H01B1/24;H05K3/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈昕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 粘合剂 端子 连接 方法 结构
【说明书】:

本申请是同名中国专利申请00811901.5号的分案申请200710096072.0的再分案申请,原案国际申请号PCT/JP00/05766,国际申请日2000年8月25日。

技术领域

本发明涉及配线连接用粘合剂和使用该粘合剂的配线端子的连接方法和配线结构体。

背景技术

近年来,在精密电子仪器领域,配线正在向高密度化发展,由于电极宽度和电极间隔变得极窄,常担心发生配线脱落,剥离或位置交错。为了解决该问题,正在开发低温快速固化性能优异,同时具有可使用时间的电气电子用的粘合剂组合物(例如特开平11-97825号公报)。

但是,过去的配线连接构件,存在根据构成连接配线材料种类的不同粘接强度不同的问题。特别是,当支持配线端子的基板是聚酰亚胺树脂等绝缘有机物或玻璃时,或配线构件表面涂覆或附着氮化硅,聚硅氧烷树脂,聚酰亚胺树脂时,存在粘接强度明显降低这样的问题。

发明的公开

本发明的目的是提供适于电气电子,特别是即使是连接支持配线端子的基板为绝缘有机物或玻璃制成的配线构件,或表面至少有一部分具有氮化硅,聚硅氧烷树脂和/或聚酰亚胺树脂的配线构件时也可得到高粘接强度的粘合剂,和使用它们的配线端子的连接方法和配线结构体。

本发明提供配线端子连接用的粘合剂,该粘合剂含有(1)通过加热产生游离自由基的固化剂和(2)自由基聚合性物质和(3)聚硅氧烷颗粒。本发明的粘合剂可用于介于配线基板之间,使设置在表面的配线端子相向配置,通过对该配线基板加压的同时加热,端子间进行电连接。而且,在本说明书中,端子也可以是电极。

本发明的粘合剂进一步含有(4)薄膜形成材料。作为薄膜形成材料,优选苯氧基树脂。

另外,本发明的粘合剂,进一步含有(5)导电颗粒。导电颗粒,优选至少在其表面含有至少任意一种选自金,银和铂族的金属,优选由这些金属中的任意一种覆盖表面。

在本发明粘合剂中的聚硅氧烷颗粒的含量,相对于100重量份自由基聚合性物质(对于含有薄膜形成材料的情况,相对于100重量份自由基聚合性物质和薄膜形成材料总重量),优选为5-200重量份。

另外,本发明粘合剂中使用的聚硅氧烷颗粒在25℃(室温)的弹性率优选为0.1-100MPa。

另外,本发明提供含有(1)通过加热产生自由基的固化剂,(2)自由基聚合性物质和(3)聚硅氧烷颗粒的组合物制成的第1层和,含有(5)导电颗粒,(2)自由基聚合性物质和(3)聚硅氧烷颗粒的组合物制成的第2层的叠层的,配线端子连接用的粘接膜。

另外,本发明还提供在两个以上配线构件上分别设置的连接端子之间,用本发明的粘合剂电连接配线端子的连接方法。

本发明的连接方法,是对具有以其间存在本发明的粘合剂的状态,对使端子互相相向地配置的具有第一连接端子的第一配线构件和具有第二连接端子的第二配线构件的连接方向加压的同时加热,使第一连接端子和第二连接端子电连接的方法。

本发明的连接方法,特别,适用于至少有一个连接端子是表面由金、银、锡、铂族金属,和/或铟锡氧化物(ITO)形成的情况。另外,本发明的连接方法,适用于配线构件中至少一个是具备含有绝缘性有机物和/或玻璃的基板的情况。另外,本发明的连接方法,即使是配线构件中至少一个的表面上具备氮化硅,聚硅氧烷化合物和聚酰亚胺树脂中至少任意一种的情况下,也能够得到优异的粘接强度。

另外,在本发明提供具备两个以上分别具有连接端子的配线构件,配线构件的连接端子之间使用本发明的粘合剂电连接的配线结构体。

本发明的配线结构体,具有例如,所谓以本发明的粘合剂的固化物介于其间的方式,将具有第一连接端子的第一配线构件和具有第二连接端子的第二配线构件的第一连接端子和第二连接端子相向地配置,第一连接端子和第二连接端子电连接结构。

附图的简要说明

图1和图2,是表示配线端子的连接工艺的说明图。

实施发明的最佳方案

(1)通过加热产生游离自由基的固化剂

在本发明粘合剂中含有的,通过加热产生游离自由基的固化剂是过氧化物,偶氮化合物等通过加热分解后产生自由基的物质。该固化剂可以根据目的连接温度,连接时间,适用期等适当地进行选择,但是,从高反应性和长适用期来考虑,优选半衰期10小时的温度在40℃以上,且半衰期1分钟的温度在180℃以下的有机过氧化物,更优选半衰期10小时的温度在60℃以上,同时半衰期1分钟的温度在170℃以下的有机过氧化物。

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