[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有焊线球(stud bump)的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统的堆栈式(stacked)半导体结构由多个芯片堆栈而成。每个芯片具有数个焊球(solderball)，该些锡球以回焊(reflow)方式形成于芯片上。芯片与芯片之间以另外的焊球，亦采用回焊的方式电性连接互相堆栈的芯片。

然而，芯片在堆栈前经过一次回焊工艺，互相堆栈时又经过一次回焊工艺，亦即，每个芯片至少经过二次回焊工艺。如此，会因为回焊工艺的高温而增加芯片的翘曲量，导致堆栈式半导体结构严重变形。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件提供至少一焊线球。该焊线球以打线技术(wire bonding)形成，该焊线球用以与一半导体组件对接。由于该半导体组件与该焊线球的接合工艺可采用回焊以外的方式完成，因此可降低半导体封装件因受到高温所产生的变形量。

根据本发明的一方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一芯片、一封胶、一贯孔、一第一介电层、一第一图案化导电层、一贯孔导电层、一第二图案化导电层及一第一焊线球。芯片具有一芯片侧面及相对的一主动表面与一芯片背面并包括一第一接垫，第一接垫形成于主动表面上。封胶具有相对的一第一封胶表面与一第二封胶表面。第一封胶表面露出第一接垫，封胶并包覆芯片背面及芯片侧面。贯孔从第一封胶表面贯穿至第二封胶表面。第一介电层形成于第一封胶表面并具有露出贯孔的一第一开孔。贯孔导电层形成于贯孔内。第一图案化导电层形成于第一开孔内并延伸至贯孔导电层。第二图案化导电层形成于第二封胶表面并延伸至贯孔导电层。第一焊线球形成于第二图案化导电层。

根据本发明的另一方面提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供具有一黏贴层的一载板；设置数个芯片于黏贴层上，每个芯片具有一芯片侧面及相对的一主动表面与一芯片背面并包括一第一接垫，第一接垫形成于主动表面上并面向黏贴层；以一封胶包覆每个芯片的芯片侧面及芯片背面，封胶具有相对的一第一封胶表面与一第二封胶表面；形成数个贯孔于封胶，贯孔从第一封胶表面贯穿至第二封胶表面；移除载板及黏贴层，使第一封胶表面露出芯片的第一接垫；形成一第一介电层于第一封胶表面，第一介电层具有数个第一开孔，该些第一开孔露出该些贯孔；形成一贯孔导电层于该些贯孔内；形成一第一图案化导电层于第一开孔内并延伸至贯孔导电层；形成一第二图案化导电层于第二封胶表面并延伸至贯孔导电层；以打线技术形成一第一焊线球于第二图案化导电层；以及，切割封胶以分离该些芯片。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的示意图。

图2绘示本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图3绘示依照本发明第一实施例的半导体封装件的制造流程图。

图4A至4F绘示图1的半导体封装件的制造示意图。

图5绘示依照本发明第二实施例的半导体组件的示意图。

主要组件符号说明：

100、200：半导体封装件

102：芯片

104：封胶

106：第一介电层

110：第二介电层

112：锡球

114：第一焊线球

116：捻断部

118、318：半导体组件

120：第二接垫

122：第一接垫

124：贯孔

126：第一封胶表面

128：第二封胶表面

130：第一开孔

132：芯片保护层

134：第二开孔

136：第一图案化导电层

138：第二图案化导电层

140：黏贴层

142：载板

144：主动表面

146、148、150：侧面

152：贯孔导电层

154：接垫保护层

156：芯片背面

158：芯片侧面

352：第二焊线球

S102-S126：步骤

具体实施方式

以下提出较佳实施例作为本发明的说明，然而实施例所提出的内容，仅为举例说明之用，而绘制的图式为配合说明，并非作为限缩本发明保护范围之用。再者，实施例的图示亦省略不必要的组件，以利清楚显示本发明的技术特点。

第一实施例