[发明专利]一种寻找多层单元闪存中最低有效位页的方法及系统

说明书

技术领域

本发明属于存储技术领域，尤其涉及一种寻找多层单元闪存中最低有效位页的方法及系统。

背景技术

闪存按照其内部构架可以分为单层单元闪存，每个单元(cell)中存储1个位(bit)的信息；多层单元闪存，每个单元(cell)至少存储2个位(bit)信息，其中，多层单元闪存包括2bit/cell、3bit/cell以及以后出现的更多位元的闪存。

单层单元闪存的数据写入是通过对浮栅的电荷加电压，经过源极将所存储的电荷消除，通过这样的方式，以存储一个信息位(1代表消除，0代表写入)。而多层单元闪存则是在浮栅中使用不同程度的电荷，因此能在单一晶体管中存储多个位的信息，并通过单元的写入与感应的控制，在单一晶体管中产生多种状态，对于单层单元闪存及多层单元闪存而言，同样容量的单元要存储1位与存储多位的稳定度和复杂度不同，单层单元闪存比多层单元闪存稳定，且单层单元闪存写入速度较快。从数据存储机制方面看，闪存内部包含多个存储块，每个存储块由多个页构成。单层单元闪存的所有页都是快速且稳定可靠的，而多层单元闪存的块内只有一部分页是快速且稳定可靠的，结构跟单层单元闪存内的页类似。例如，以2bit/cell的闪存为例，一个单元包含两个位(0，1位)，0位称为最低有效位，1位称为非最低有效位，可产生四种状态(00，01，11，10)，以写入块内不同的页内，其中，每个单元的两位分别写入块的最低有效位页和非最低有效位页内，其中最低有效位页为快速且稳定可靠的页，并且同一型号的闪存其最低有效位页在所有的块内的分布都是一样的。同理，3bit/cell的闪存，一个单元包含3个位(0，1，2位)，其中0位称为最低有效位，1和2位称为非最低有效位，其中写入0位的页为最低有效位页，写入1位和2位的页为非最低有效位页。以下，用最低有效位页来描述多层单元闪存中快速且稳定可靠的页，用非最低有效位页来描述多层单元闪存中其它页。

现有技术中用户获得最低有效位页的方式是通过闪存厂商提供的每个闪存型号相应的数据资料获得，现有技术的缺点是：可能由于某些原因无法获得多层单元闪存的存储块中最低有效位页的具体位置，如无法获得闪存的数据资料、闪存的数据资料中没有标明存储块中最低有效位页的位置以及已获得的闪存的数据资料丢失等。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种寻找多层单元闪存中最低有效位页的方法，旨在解决现有技术中可能由于某些原因无法获得多层单元闪存的存储块中最低有效位页的具体位置。

本发明实施例是这样实现的，一种寻找多层单元闪存中最低有效位页的方法，所述方法包括下述步骤：

步骤①，接收用户发送的数据操作指令，所述数据操作指令包括选定存储块的信息、数据操作方式的信息、开始数据操作的信息；

步骤②，根据所述接收的数据操作指令的信息，测定所述选定存储块中每页的数据操作时间；

步骤③，按照所述测定的每页的数据操作时间的数值从小到大的顺序，从所述测定的每页的数据操作时间中依次取出数据操作时间位于前N的页确定为最低有效位页，并记录最低有效位页在所述存储块中的偏移地址，其中，N为存储块中最低有效位页的数量，N＝每一存储块中页的总数/多层单元闪存中每一存储单元存储的位数。

本发明实施例还提供了一种寻找多层单元闪存中最低有效位页的系统，所述系统包括：

指令接收单元，用于接收用户发送的数据操作指令，所述数据操作指令包括选定存储块的信息、数据操作方式的信息、开始数据操作的信息；

数据操作时间测定单元，用于根据所述接收的数据操作指令的信息，测定所述选定存储块中每页的数据操作时间；

最低有效位页寻找单元，用于按照所述测定的每页的数据操作时间的数值从小到大的顺序，从所述测定的每页的数据操作时间中依次取出数据操作时间位于前N的页确定为最低有效位页，并记录最低有效位页在所述存储块中的偏移地址，其中，N为存储块中最低有效位页的数量，N＝每一存储块中页的总数/多层单元闪存中每一存储单元存储的位数。

在本发明实施例中，当由于某些原因无法获得多层单元闪存的存储块中最低有效位页的具体位置时，通过测定存储块中每页的数据操作时间，根据测定的数据操作时间方便的确定多层单元闪存的存储块中最低有效位页的位置。此外，该方法实现简单，用户可以根据最低有效位页的信息更好的利用多层单元闪存，实现多层单元闪存的最优性能。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的寻找多层单元闪存中最低有效位页的方法的实现流程图；