[发明专利]硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物及其制备和应用方法无效

专利信息
申请号: 201010156001.7 申请日: 2010-04-23
公开(公告)号: CN101831076A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 曹学君;杨宝君 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C08G77/44 分类号: C08G77/44;C08J9/26;C07D493/20
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 20023*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅胶 颗粒 表面 青蒿素 分子 印迹 聚合物 及其 制备 应用 方法
【权利要求书】:

1.一种硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物,其特征在于,所述硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物是以青蒿素为模板分子,采用式(1)所示的功能化硅胶颗粒即表面修饰了杯[4]芳烃的硅胶颗粒、式(2)所示的单体化合物和式(3)所示的单体化合物经无规共聚得到聚合物后去除所述聚合物中的所述青蒿素而得,所述硅胶颗粒是粗孔微球硅胶,孔径为8.0-12.0nm,

2.根据权利要求1所述的硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物,其特征在于,所述硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物具体通过以下过程制备而成:以石油醚为溶剂,醋酸为催化剂,加入所述青蒿素、所述的式(1)所示的功能化硅胶、所述的式(2)所示的单体化合物与所述的式(3)所示的单体化合物进行无规共聚反应获得所述聚合物后洗脱去除所述聚合物中的所述青蒿素得到所述硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物。

3.根据权利要求2所述的硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物,其特征在于,所述无规共聚反应在室温条件下进行24小时,所述醋酸为1M醋酸,所述的式(2)所示的单体化合物和所述的式(3)所示的单体化合物的摩尔比为1∶5。

4.一种制备根据权利要求1所述的硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物的方法,其特征在于,以石油醚为溶剂,醋酸为催化剂,加入所述青蒿素、所述的式(1)所示的功能化硅胶、所述的式(2)所示的单体化合物与所述的式(3)所示的单体化合物进行无规共聚反应得到所述聚合物后去除所述聚合物中的所述青蒿素从而得到所述硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述无规共聚反应在室温条件下进行24小时,所述醋酸为1M醋酸,所述的式(2)所示的单体化合物和所述的式(3)所示的单体化合物的摩尔比为1∶5。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述的式(1)所示的功能化硅胶颗粒是以式(4)所示的单体化合物为中间体将式(5)所示的单体化合物接枝于活化的硅胶颗粒表面而得,

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述的式(1)所示的功能化硅胶颗粒具体制备过程如下:以甲苯为溶剂,以三乙胺为催化剂,加入所述的式(4)所示的单体化合物与所述的活化的硅胶颗粒,在惰性气体存在下进行反应得到表面接有环氧基团的硅胶粒子,然后在另外的甲苯溶剂中加入所述的式(5)所示的单体化合物和氢化钠,在惰性气体保护下振荡反应,然后迅速加入所述硅胶粒子和四丁基溴化铵,在惰性气体保护下反应得到所述的式(1)所示的功能化硅胶颗粒。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述式(1)所示的功能化硅胶颗粒具体制备过程中,所述惰性气体是氮气,所述反应的温度为70-85℃,时间为16-24小时,所述振荡反应在80℃水浴中进行30min。

9.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述的方法还包括步骤:将所述硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物中的溶剂去除。

10.一种将根据权利要求1所述的硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物应用于超临界CO2中分离青蒿素的方法,其特征在于,将所述硅胶颗粒表面青蒿素分子印迹聚合物和待分离的青蒿素置于超临界CO2条件下,在温度40℃,压力20MPa条件下进行吸附和分离,从而纯化所述青蒿素。

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