[发明专利]一种微纳米尺度平面周期性结构的反演方法

权利要求书

1.一种微纳米尺度平面周期性结构的反演方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：

1)将带有微纳米尺度平面周期性结构的试件置于扫描电子显微镜的试件平台上，进行扫 描得到试件栅图像，并利用该图像计算试件栅的平均栅距p_r，调整试件平台，使得扫描线与 试件栅线平行；

2)调整扫描电子显微镜的放大倍数和区域内的扫描线的线数，使得扫描线的间距与试件 栅间距相同，这时试件栅与扫描线叠加出现几何云纹条纹图，该几何云纹条纹图作为初始云 纹条纹图，记录下初始云纹条纹图，并通过旋转电镜扫描线，确定云纹图条纹的级数；

3)沿垂直于扫描线的方向微小移动试件平台，产生相移云纹条纹，经过至少两次平移之 后，记录得到扫描相移云纹条纹图，包括初始云纹图总共得到至少三幅相移云纹条纹图；

4)从相移云纹条纹图中，在每幅图中选择相同的区域作为研究区域，得到所有相移云纹 图中的相同区域的相移云纹条纹图，利用随机相移的算法，计算得到相移云纹条纹的包络相 位图；

5)得到包络相位图之后，对包络相位图进行解包络，得到解包络相位φ；

6)根据得到的φ和试件的平均栅距p_r，利用公式，可以求得结构特征 位置场ν(x，y)；

7)对步骤6)中所得到的结构特征位置场进行插值，得到放大的试件栅的全场，反演得 到该方向试件的周期性结构，其结构特征表征为；其 中，C₀为背景光强，C₁为图像幅值，为任意值，并不影响特征结构的分布；对结构特征位置 场进行插值的方法如下：

1)首先确定要放大的倍数，对结构特征位置场进行二维的插值；

2)对横坐标和纵坐标的坐标点进行插值；

3)对结构特征位置场进行二维数据的插值，得到新的插值坐标点的结构特征位置场 的数值；

8)将扫描电镜平台旋转90°，重复1)～7)，最后得到试件另一方向的周期性结构。