[发明专利]电子元器件接合方法和凸点形成方法及其装置有效
申请号: | 201010157047.0 | 申请日: | 2010-03-23 |
公开(公告)号: | CN101853794A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 塚原法人;小山雅义 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元器件 接合 方法 形成 及其 装置 | ||
1.一种电子元器件接合方法,其特征在于,在使包含导电性粒子(3)的流体(4)介于基板(1)与电子元器件(5)之间、并且保持在所述基板(1)的第一电极(2)与所述电子元器件(5)的第二电极(6)之间的间隙(H)的状态下进行了加热,该被加热的所述流体(4)流动,从而熔融的所述导电性粒子(3)自聚集在所述第一电极(2)与所述第二电极(6)之间,然后冷却到所述导电性粒子(3)的凝固温度以下,从而将所述电子元器件(5)安装于所述基板(1),在进行上述处理时,包括:
拍摄提供给所述基板(1)或所述电子元器件(5)的流体(4)、并利用图像识别来测量导电性粒子(3)的量的工序(S2);
基于所述测量出的实际的导电性粒子(3)的量来决定所述间隙的值进行控制的工序(S3);以及
基于所述测量出的实际的导电性粒子(3)的量来决定适当的目标间隙(H0)的值、并进行控制以使得所述间隙(H)接近所述目标间隙(H0)的工序(S4)。
2.如权利要求1所述的电子元器件接合方法,其特征在于,
拍摄提供给所述基板(1)或所述电子元器件(5)的流体(4)、并利用图像识别来测量导电性粒子(3)的量的工序(S2),在该工序(S2)中,
通过利用图像识别对导电性粒子(3)进行识别和色提取后、对像素数进行计数并换算为面积来实施。
3.如权利要求1所述的电子元器件接合方法,其特征在于,
拍摄提供给所述基板(1)或所述电子元器件(5)的流体(4)、并利用图像识别来测量焊料粉的量的工序(S2),在该工序(S2)中,
分割为每个所述第一电极(2)或所述第二电极(6)的区域,或者分割为包含所述第一电极(2)或所述第二电极(6)的多个区域,
基于每个所述区域的导电性粒子(3)的量,来判定所述提供的导电性粒子(3)的过量与不足。
4.如权利要求3所述的电子元器件接合方法,其特征在于,
所谓基于每个所述区域的导电性粒子(3)的量、来判定所述提供的导电性粒子(3)的过量与不足,是指
基于对每个所述区域测量出的导电性粒子(3)的量的平均值、来判定所述提供的导电性粒子(3)的过量与不足。
5.如权利要求3所述的电子元器件接合方法,其特征在于,
所谓基于每个所述区域的导电性粒子(3)的量、来判定所述提供的导电性粒子(3)的过量与不足,是指
基于对每个所述区域测量出的导电性粒子(3)的量的最大值和最小值、来判定所述提供的导电性粒子(3)的过量与不足。
6.如权利要求1所述的电子元器件接合方法,其特征在于,
拍摄提供给所述基板(1)或所述电子元器件(5)的流体(4)、并利用图像识别来测量导电性粒子(3)的量的工序(S2),在该工序(S2)中,
分割为每个所述第一电极(2)或所述第二电极(6)的区域,或者分割为包含所述第一电极(2)或所述第二电极(6)的多个区域,
基于多个所述区域内的预先设定的特定的区域的导电性粒子(3)的量,来判定所述提供的导电性粒子(3)的过量与不足。
7.一种电子元器件接合装置,其特征在于,在使包含导电性粒子(3)的流体(4)介于基板(1)与电子元器件(5)之间、并且保持在所述基板(1)的第一电极(2)与所述电子元器件(5)的第二电极(6)之间的间隙(H)的状态下进行了加热,该被加热的所述流体(4)流动,从而熔融的所述导电性粒子(3)自聚集在所述第一电极(2)与所述第二电极(6)之间,然后冷却到所述导电性粒子(3)的凝固温度以下,从而将所述电子元器件(5)安装于所述基板(1),所述电子元器件接合装置设置了:
拍摄提供给所述基板(1)或所述电子元器件(5)的流体(4)、并利用图像识别来测量导电性粒子(3)的量的摄像机(22);以及
基于所述测量出的实际的导电性粒子(3)的量来决定适当的目标间隙(H0)的值、并进行控制使得所述间隙(H)接近所述目标间隙(H0)的处理装置(20)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造