[发明专利]半导体器件、显示装置和电子设备有效
| 申请号： | 201010157048.5 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101866616A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 电子设备 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，
包括：
发光元件；
具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；
电容器；以及
位于所述晶体管和所述电容器上的绝缘膜，
所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，
所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，
所述绝缘膜至少覆盖所述引线的一部分，且与所述半导体层接触，
所述半导体层包含ZnO。
2.一种半导体器件，其特征在于，
包括：
发光元件；
具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；
电容器；以及
位于所述晶体管和所述电容器上的绝缘膜，
所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，
所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，
所述绝缘膜至少覆盖所述引线的一部分，且与所述半导体层接触，
所述半导体层包含a-InGaZnO。
3.一种半导体器件，其特征在于，
包括：
发光元件；
具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；
电容器；以及
位于所述晶体管和所述电容器上的绝缘膜，
所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，
所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，
所述绝缘膜至少覆盖所述引线的一部分，且与所述半导体层接触，
所述半导体层至少包含In、Ga以及Zn之中的2种。
4.一种半导体器件，其特征在于，
包括：
发光元件；
具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；
电容器；以及
在所述半导体层上的绝缘膜，
所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，
所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，
所述引线与所述绝缘膜的末端重叠，
所述半导体层包含ZnO。
5.一种半导体器件，其特征在于，
包括：
发光元件；
具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；
电容器；以及
在所述半导体层上的绝缘膜，
所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，
所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，
所述引线与所述绝缘膜的末端重叠，
所述半导体层包含a-InGaZnO。
6.一种半导体器件，其特征在于，
包括：
发光元件；
具有栅电极、位于所述栅电极上的栅极绝缘膜以及位于所述栅极绝缘膜上的半导体层的晶体管；
电容器；以及
在所述半导体层上的绝缘膜，
所述晶体管的源极和漏极中的一个通过引线与所述发光元件的像素电极进行电连接，
所述电容器的电极与所述发光元件的所述像素电极进行电连接，
所述引线与所述绝缘膜的末端重叠，
所述半导体层至少包含In、Ga以及Zn之中的2种。
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