[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极、所述栅极两侧的侧墙、以及所述侧墙两侧的源/漏区；

在所述半导体衬底上淀积接触部材料，对所述接触部材料进行平坦化处理至栅极的顶部露出；

对所述接触部材料进行刻蚀，刻蚀中保留覆盖所述源/漏区的至少一部分接触部材料以形成下接触部，并使得同一晶体管结构的源/漏之间电隔离；

淀积层间介质层；以及

在层间介质层中形成与所述下接触部相对应的接触孔，并在接触孔中填充接触部材料以形成上接触部。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体衬底上淀积接触部材料的步骤包括：

依次淀积第一衬层和第一导电材料层；以及

对所淀积的第一衬层和第一导电材料层进行平坦化，直至到达栅极顶部。

3.如权利要求1所述的方法，其中，对所述接触部材料进行刻蚀的步骤包括：

涂覆光刻胶并进行构图，其中构图后的光刻胶覆盖所述源/漏区的至少一部分，并在同一晶体管结构的源/漏区之间留有间隔；以及

利用构图后的光刻胶作为掩模，对接触部材料进行刻蚀形成源/漏区的下接触部。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述构图后的光刻胶覆盖的宽度小于栅极的宽度以保证刻蚀后同一晶体管结构的源/漏之间电隔离。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在形成下接触部之后且在淀积所述层间介质层之前，对所述栅极进行替换栅极处理。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，在接触孔中填充接触部材料以形成上接触部的步骤包括：

依次淀积第二衬层和第二导电材料层；以及

对所淀积的第二衬层和第二导电材料层进行平坦化，直至到达所述层间介质层的顶部。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的栅极、所述栅极两侧的侧墙、以及所述侧墙两侧的源/漏区；

位于所述源/漏区上的下接触部，所述下接触部与所述侧墙的外壁紧邻形成，且底部覆盖所述源/漏区的至少一部分，同一晶体管结构的源/漏区之间通过层间介质层进行隔离；

形成在所述栅极、侧墙、源/漏区以及下接触部上的层间介质层，以及

在所述层间介质层中形成的与所述下接触部相对应的上接触部。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述下接触部由依次淀积的第一衬层和第一导电材料层形成。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一衬层由包括TiN、TiAlN、TaN、TaAlN、Ta和Ti中任一种或其组合。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一导电材料包括W、Al或Cu中任一种或其组合。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述上接触部由依次淀积的第二衬层和第二导电材料层形成。

12.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述下接触部的顶部与所述栅极的顶部相齐。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的半导体器件，其中，栅极宽度方向上，所述下接触部的宽度小于栅极宽度。