[发明专利]氮化镓系发光二极管

权利要求书

1.一种氮化镓系发光二极管，其包括：

一衬底；

一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；

一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；

一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；

一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；

一负电极，该负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上；

一p型铝镓氮插入层，该p型铝镓氮插入层制作在活性发光层上；

一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在p型铝镓氮插入层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；

一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；

一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。

2.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中p型铝镓氮插入层为低温低铝组分的p型Al_xGa_1-xN，其中铝组分0＜x＜0.1，其生长温度为600℃-900℃。

3.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其中p型铝镓氮插入层的厚度为10nm-100nm。

4.如权利要求1或2所述的氮化镓系发光二极管，其中p型铝镓氮插入层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为10¹⁹-10²¹cm^-3。

5.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中活性发光层的周期数为4-15，该活性发光层的总厚度为30-200nm，其中每一氮化镓薄层的厚度为4-20nm；每一铟镓氮薄层的厚度为1-4nm，铟镓氮薄层由In_xGa_1-xN所构成，其中0.1＜x＜0.3。

6.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中p型电子阻挡层的生长温度为700℃-1000℃，厚度为10-50nm。

7.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中p型电子阻挡层由p型Al_xGa_1-xN构成，其中0.1≤x＜0.2。

8.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中所述p型电子阻挡层以二茂镁为p型掺杂剂，并且二茂镁的掺杂浓度为10¹⁹-10²¹cm³。

9.如权利要求1所述的氮化镓系发光二极管，其中衬底由C-面、R-面或A-面的氧化铝单晶、6H-SiC、4H-SiC或晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物所制成。