[发明专利]微机电系统压电双晶片的制备方法

权利要求书

1.一种微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：

第一步、使用微加工工艺制备压电双晶片基片；

第二步、在已制备的基片上表面和下表面，使用提拉法制备PZT薄膜；

第三步、使用激光修整压电双晶片；

第四步、在已制备的压电双晶片上下两面镀金或银电极；

第五步，极化上下两层压电薄膜。

2.根据权利要求1所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述的压电双 晶片基片材料厚度为10～20μm的金属片。

3.根据权利要求2所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述的金属片 为铜、镍、铝和铁镍合金的一种。

4.根据权利要求1所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述提拉法制 备PZT薄膜，其提拉速度为5～10mm/min。

5.根据权利要求1或4所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述的提 拉法制备PZT薄膜，其提拉速度为5mm/min。

6.根据权利要求5所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述的提拉法 制备PZT薄膜，每次提拉后烘干温度为100～150℃，时间为10～15min。

7.根据权利要求6所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述的提拉法 制备PZT薄膜，是通过控制提拉的次数，制备5～25μm厚度的PZT薄膜。

8.根据权利要求5或6所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述的提 拉法制备PZT薄膜，提拉完成后，将片子在500～700℃退火2h。

9.根据权利1所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述激光修整压电 双晶片，是指将基片上侧面边沿部分生成的PZT薄膜去除。

10.根据权利1所述的微机电系统压电双晶片的制备方法，其特征是，所述压电双晶片 电极极化，是沿厚度方向，并且上下两层压电薄膜极化方向相反。