[发明专利]由半导体晶片制造集成电路的装置和方法

权利要求书

1.一种由一半导体晶片制造集成电路的方法，包括：

对上述半导体晶片进行一第一工艺；

取得一第一测量数据，用以指出已执行的上述第一工艺的正确性；

使用上述第一测量数据，用以产生一测量校正数据，其中上述测量校正数据包括一有效部分以及一无效部分；

去除上述测量校正数据的上述无效部分，并且以一测量校正模型模型化上述测量校正数据的上述有效部分；

结合上述测量校正模型与一第一工艺模型，用以产生一多重解析模型，其中上述第一工艺模型用以模型化上述第一工艺的一输入输出关系；以及

分析上述多重解析模型的一响应与一第二测量数据，用以控制一第二工艺的成效。

2.如权利要求1所述的由半导体晶片制造集成电路的方法，其中上述去除的步骤包括对上述测量校正数据执行多重解析分析，用以将上述有效部分由上述测量校正数据分离出来。

3.如权利要求1所述的由半导体晶片制造集成电路的方法，其中上述第一工艺包括一蚀刻工艺。

4.如权利要求1所述的由半导体晶片制造集成电路的方法，其中上述第一测量数据包括沟槽深度测量数据。

5.如权利要求1所述的由半导体晶片制造集成电路的方法，其中上述第二工艺包括一化学机械抛光工艺，并且上述第二测量数据包括铜膜深度测量数据。

6.如权利要求5所述的由半导体晶片制造集成电路的方法，其中上述分析的步骤由化学研磨抛光工艺的先进工艺控制的一控制器模块所执行。

7.如权利要求1所述的由半导体晶片制造集成电路的方法，其中上述测量校正模型表示一测量仪器偏差，并且上述第一工艺模型将基板上已移除的硅数量表示成硅移除速率与时间的一函数。

8.一种由一半导体晶片制造集成电路的系统，包括：

一第一装置，用以对上述半导体晶片进行一第一工艺；

一第二装置，用以取得一第一测量数据，其中上述第一测量数据指出已执行的上述第一工艺的正确性；

一第三装置，上述第三装置使用上述第一测量数据，用以产生一测量校正数据，其中上述测量校正数据包括一有效部分以及一无效部分；

一第四装置，用以去除上述测量校正数据的上述无效部分，并且将上述测量校正数据的上述有效部分模型化成一测量校正模型；

一第五装置，上述第五装置结合上述测量校正模型与上述第一工艺的一第一工艺模型，用以产生一多重解析模型，其中上述第一工艺模型模型化上述第一工艺的一输入输出关系；以及

一第六装置，上述第六装置分析上述多重解析模型的一响应与一第二测量数据，用以控制一第二工艺的成效。

9.如权利要求8所述的由半导体晶片制造集成电路的系统，其中上述第四装置包括一第七装置，上述第七装置用以对上述测量校正数据执行多重解析分析，而将上述有效部分由上述测量校正数据分离出来。

10.如权利要求8所述的由半导体晶片制造集成电路的系统，其中上述第一工艺包括一蚀刻工艺。

11.如权利要求8所述的由半导体晶片制造集成电路的系统，其中上述第一测量数据包括沟槽深度测量数据。

12.如权利要求8所述的由半导体晶片制造集成电路的系统，其中上述第二道工艺包括一化学机械抛光工艺，并且上述第二测量数据包括铜膜深度测量数据。

13.如权利要求12所述的由半导体晶片制造集成电路的系统，其中上述第六装置包括化学机械抛光的先进工艺控制的一控制器模块，上述控制器模块用以分析上述多重解析模型的上述响应与上述第二测量数据。

14.如权利要求8所述的由半导体晶片制造集成电路的系统，其中上述测量校正模型表示一测量仪器偏差，并且上述第一工艺模型将基板上已移除的硅数量表示成硅移除速率与时间的一函数。