[发明专利]电介质陶瓷组合物有效
申请号: | 201010158522.6 | 申请日: | 2010-03-30 |
公开(公告)号: | CN101851092A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 岚友宏;小更恒;樱井俊雄 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;C04B35/20;H01B3/12 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 | ||
技术领域
本发明涉及电介质陶瓷组合物。
背景技术
近年来,移动电话等的移动通信仪器的需要增加,其使用数百MHz~数GHz称为准微波的高频带。为此,作为移动通信仪器所用的滤波器、共振器、电容器等电子装置,要求其具有高频特性。并且,伴随着近年来移动通信仪器小型化,对于高频装置也要求小型化。
为了有助于这样的高频装置的小型化,表面安装型(SMD:表面安装设备,Surface Mount Device)成为主流,其内部具有电极、配线等的导体(以下,把高频装置内部具有电极、配线等的导体称为“内部导体”)。
另外,为了实现装置的价格降低,希望能够使用低电阻并且廉价的Ag等导体作为内部导体。关于能够把Ag作为内部导体使用的、具有低温烧结特性的电介质陶瓷组合物,提出了各种组合物。例如,将BaO-稀土类氧化物-TiO2类作为主要组分的材料,其相对介电常数(εr)高、Q值大、共振频率的温度特性(τf)小等,因而得到了广泛研究。
例如,研究了装置的制作技术,其通过同时烧制上述的高的相对介电常数和相对较低的相对介电常数的电介质陶瓷不同材质,改善装置的特性。
例如,专利文献1、2及3中,公开了具有低温烧结性、将BaO-稀土类氧化物-TiO2类作为主要组分的电介质陶瓷组合物,能够将Ag或以Ag为主要成分的合金等作为内部导体使用。
专利文献1:专利第3940424号公报
专利文献2:专利第3940419号公报
专利文献3:日本特开2006-124270号公报
发明内容
然而,上述以BaO-稀土类氧化物-TiO2类作为主要成分的电介质陶瓷组合物,若使用该电介质陶瓷组合物形成电容器等电子装置,根据情况,Ag等导电性粒子的偏析引起击穿电压的波动产生。若击穿电压的波动过大,则电容器等电子装置的寿命,例如,与设计规格相比变短。根据本发明的发明者们的见解,这种倾向在电子装置中薄层电容器中特别的显著。
因此,本发明是鉴于上述问题而提出的,其主要目的在于提供一种电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物能够抑制击穿电压的波动,并且其电性能优异。
本发明的发明者们鉴于上述情况进行了深入研究,其结果发现了一种电介质陶瓷组合物,其击穿电压的波动少,并且电性能优异,该电介质陶瓷组合物,作为主要组分,含有组成式{α(xBaO·yNd2O3·zTiO2)+β(2MgO·SiO2)}所示的组分,表示BaO、Nd2O3和TiO2的摩尔比的x、y和z分别在特定的摩尔比范围内,表示主要组分中各组分的体积比的α和β分别在特定的体积比范围内,相对于主要组分,作为副组分含有氧化锌、氧化硼、软化点在特定温度以下的玻璃和银,并且,这些副组分分别以a ZnO、b B2O3、c玻璃、dAg表示时,表示相对于主要组分的各副组分的质量比的a、b、c和d分别具有特定的质量比关系,从而完成了本发明。
即,本发明的电介质陶瓷组合物,特征在于:
作为主要组分,含有组成式{α(xBaO·yNd2O3·zTiO2)+β(2MgO·SiO2)}所示的组分,
表示BaO、Nd2O3和TiO2的摩尔比的x、y和z分别在以下范围内,
14(摩尔%)≤x≤19(摩尔%),
12(摩尔%)≤y≤17(摩尔%),
65(摩尔%)≤z≤71(摩尔%),
并且满足x+y+z=100的关系,
表示主要组分中各组分的体积比的α和β分别在以下范围内,
35(体积%)≤α≤65(体积%),
35(体积%)≤β≤65(体积%),
并且满足α+β=100的关系,
相对于主要组分,作为副组分,含有氧化锌、氧化硼、软化点在570℃以下的玻璃和银,这些副组分分别以a ZnO、b B2O3、c玻璃、dAg表示时,
表示相对于主要组分的各副组分的质量比的a、b、c和d分别具有以下关系,
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