[发明专利]半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体层的制造方法，其中在通过采用AsH₃的外延生长形成半导体层之后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH₃且不另外提供新的气体。

2.根据权利要求1所述的半导体层的制造方法，其中开始降温的同时停止提供AsH₃。

3.根据权利要求1所述的半导体层的制造方法，其中在降温期间停止提供AsH₃。

4.根据权利要求1所述的半导体层的制造方法，其中当所述工艺温度在500℃以上且700℃以下的范围中时停止提供AsH₃。

5.根据权利要求1所述的半导体层的制造方法，其中作为所述半导体层，通过采用AsH₃和包含p型杂质元素的第一原料气体的外延生长形成包含As的p型半导体层。

6.根据权利要求5所述的半导体层的制造方法，其中作为所述p型半导体层，通过采用AsH₃、所述第一原料气体和包含Al的第二原料气体的外延生长形成包括含As的第一半导体层的层叠体，所述第一半导体层中的Al组分为0.9以上。

7.根据权利要求6所述的半导体层的制造方法，其中当所述工艺温度在600℃以上且700℃以下的范围中时停止提供AsH₃。

8.根据权利要求6所述的半导体层的制造方法，其中所述层叠体的结构为交替层叠所述第一半导体层和Al组分小于所述第一半导体层的Al组分的第二半导体层。

9.根据权利要求8所述的半导体层的制造方法，其中在所述层叠体中所述p型杂质的活化率为80％以上。

10.一种半导体层，包括p型层叠体，所述p型层叠体交替地包括Al组分为0.9以上的第一p型半导体层和Al组分小于所述第一p型半导体层的Al组分的第二p型半导体层，其中p型杂质的活化率为80％以上。

11.根据权利要求10所述的半导体层，其中在通过采用AsH₃、包含p型杂质元素的第一原料气体和包含Al的第二原料气体的外延生长而交替形成所述第一p型半导体层和所述第二p型半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH₃且不另外提供新的气体，由此形成所述p型层叠体。

12.一种激光器二极管的制造方法，包括：

形成层叠结构的形成步骤，所述层叠结构依次包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，其中

在所述形成步骤中，在通过采用AsH₃和包含p型杂质元素的第一原料气体的外延生长而形成所述p型半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH₃且不另外提供新的气体。

13.一种激光器二极管，依次包括：

n型半导体层；

有源层；和

p型半导体层，其中

所述p型半导体层的结构为交替层叠Al组分为0.9以上的第一p型半导体层和Al组分小于所述第一p型半导体层的Al组分的第二p型半导体层，其中p型杂质的活化率为80％以上。