[发明专利]局部抛光半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种用于局部抛光半导体晶片的一面的方法，其中用可旋转抛光头压着所述半导体晶片，将其待抛光的一面对着位于旋转抛光板上并含有固着磨料的抛光垫，其中所述抛光头带有弹性膜，并通过气垫或液垫径向细分成多个室，每个室可以选择施加不同的抛光压，其中在这个过程中半导体晶片通过扣环保持在原位，所述扣环同样也用施加压力压着抛光垫，其中在所述半导体晶片和所述抛光垫之间引入抛光剂，并且选择施加在抛光头的位于半导体晶片的边缘区域的室中的半导体晶片上的抛光压以及所述扣环的施加压力，以使仅半导体晶片的边缘处的材料被基本上去除。

2.权利要求1所述的方法，其中所述抛光剂是化合物碳酸钠(Na₂CO₃)、碳酸钾(K₂CO₃)、氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、氢氧化铵(NH₄OH)、氢氧化四甲铵(TMAH)或其任意混合物的水溶液。

3.权利要求2所述的方法，其中所述抛光剂溶液的pH值为11.0-12.5，并且所述化合物在该抛光剂溶液中的比例为0.01-10重量％。

4.权利要求1-3之一所述的方法，其中所用的抛光垫包含选自以下的磨料：元素铈、铝、硅或锆的氧化物颗粒或诸如碳化硅、氮化硼或金刚石的硬质物质的颗粒。

5.权利要求1-4之一所述的方法，其中所述抛光垫中含有的磨料的粒径为0.1-1.0μm。

6.权利要求5所述的方法，其中所述抛光垫中含有的磨料的粒径为0.1-0.6μm。

7.权利要求6所述的方法，其中所述抛光垫中含有的磨料的粒径为0.1-0.25μm。

8.权利要求1-7之一所述的方法，其中所述扣环施加压力为0.5-10psi。

9.权利要求1-8之一所述的方法，其中外侧室中的压力高于内侧室中的压力。

10.权利要求1-9之一所述的方法，其中所述半导体晶片是单晶硅片或包含SiGe层的晶片，其直径为300mm或更大。