[发明专利]顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法，其步骤如下：

A.用乙醇/丙酮混合溶剂超声清洗作为绝缘衬底(6)的基片10～15分钟，然 后将基片放入去离子水中，煮沸到基片表面无残留气泡为止，随后再次超 声清洗10～20分钟，最后再用去离子水超声10～20分钟进行漂洗，漂洗 结束后，将基片置于超净间内的洁净工作台中，用红外灯烘烤1～5小时， 彻底除去基片表面的水分；

B.在基片上沉积40～60nm厚的CuPc作为有源层(4)；

C.在有源层上沉积300～350nm厚的尼龙/CaF₂作为绝缘层(5)，再通过掩 膜或光刻后，形成有源层-绝缘层-有源层的台阶结构；尼龙层的厚度为 5～20nm，CaF₂层的厚度为295～330nm；

D.在台阶结构的有源层(4)上各沉积100～150nm厚的Al金属层作为漏电 极(2)和源电极(3)；

E.在台阶结构的绝缘层(5)上沉积100～150nm厚的Al金属层作为栅电极 (1)，从而完成顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备。

2.如权利要求1所述的一种顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法，其 特征在于：绝缘衬底(6)为玻璃或石英。

3.如权利要求1所述的一种顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法，其 特征在于：有源层(4)的沉积方法是真空热蒸发法，真空度为2×10^-4～9×10^-4Pa，生长速度为0.3～0.5nm/s，生长时间为150～200s，有源层(4)厚度为 50～90nm。

4.如权利要求1所述的一种顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法，其 特征在于：绝缘层(5)的沉积方法是真空热蒸发法，真空度为2×10^-4～9×10^-4Pa，生长速度为0.8～1nm/s，生长时间为300～350s，绝缘层(5)厚度为 320～360nm。

5.如权利要求1所述的一种顶栅顶接触自对准有机薄膜晶体管的制备方法，其 特征在于：漏电极(2)、源电极(3)、栅电极(1)的沉积方法是真空热 蒸发法，真空度为2×10^-4～9×10^-4Pa，生长速度为生长时间 为200～250s，电极层厚度为120～150nm。