[发明专利]高阶补偿带隙基准电压源无效

专利信息
申请号: 201010159179.7 申请日: 2010-04-27
公开(公告)号: CN101833352A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 张耀国;何媛;沈立;程玉华 申请(专利权)人: 上海北京大学微电子研究院
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 补偿 基准 电压
【说明书】:

技术领域

发明涉及集成电路领域,尤其涉及高阶补偿带隙基准电压源。

背景技术

带隙基准电压源是指在电路中能起参考作用的电压源,需要高精度,且其输出的基准电压随外界温度变化要尽量少的变化。基准电压源应用非常广泛,比如数据转换器(包括模数转换器和数模转换器)、传感器、电源管理控制器和各种高精度测量仪表中。其精度直接影响到电路各模块的性能,具有非常重要的作用。

对于带隙基准电压源,考察性能的一项重要指标是温度系数(TC,Temperature Coefficient),温度系数的单位为PPM/℃,温度系数的表达式为:

TC=[VMAX-VMINVreference×(TMAX-TMIN)]×106]]>

温度系数用于表明在限定温度范围内,带隙基准电压源基准电压的大小范围。

带隙基准的实现原理主要基于如下两点:

第一点:三极管的VBE(基区——发射区电压)具有负的温度系数。VBE具有如下表达式(参考文献:Y.P.Tsividis“Accurate Analysis of Temperature Effectsin/c-l/BE Characteristics with Application to Bandgap Reference Sources”,IEEEJournal of Solid-State Circuits,vol.SC-15.no.6,pp.1076-1084,Dec.1980.)

VBE(T)=VGo+(VBE0-VG0)(TT0)-ηVTln(TT0)+VTlnICIC(T0)]]>

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