[发明专利]减轻双曝光工艺中的抗蚀剂图案关键尺寸变化的方法有效

专利信息
申请号: 201010159406.6 申请日: 2010-04-06
公开(公告)号: CN101859065A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 李伟健;陈光荣;黄武松 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 吴立明;郑菊
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 减轻 曝光 工艺 中的 抗蚀剂 图案 关键 尺寸 变化 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻方法,包括:

在衬底之上形成光抗蚀剂层;

将所述光抗蚀剂层曝光于第一辐射;

对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第一图案;

在所述光抗蚀剂层之上形成顶涂层;

将所述顶涂层和所述光抗蚀剂层曝光于第二辐射;

去除所述顶涂层;以及

对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第二图案。

2.如权利要求1的方法,其中去除所述顶涂层包括使所述顶涂层与有机溶剂接触。

3.如权利要求2的方法,其中所述有机溶剂包括1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、乙烯乙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、4-庚醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、2,4-二甲基-3-戊醇、3-乙基-2-戊醇、1-甲基环戊醇、2-甲基-1-己醇、2-甲基-2-己醇、2-甲基-3-己醇、3-甲基-3-己醇、4-甲基-3-己醇、5-甲基-1-己醇、5-甲基-2-己醇、5-甲基-3-己醇、4-甲基环己醇、1,3-丙二醇、辛醇、癸烷或包括两种或更多种上述溶剂的组合物。

4.如权利要求1的方法,其中将所述顶涂层和所述光抗蚀剂层曝光于第二辐射是使用浸没式光刻工艺来实施的。

5.如权利要求1的方法,其中所述顶涂层包括包含酸基团的聚合物。

6.如权利要求5的方法,其中所述酸基团包括羧酸、氟醇、氟磺胺,或包括两种或更多种上述基团的组合。

7.如权利要求1的方法,其中所述第一辐射和所述第二辐射都具有大约193nm的成像波长。

8.如权利要求1的方法,进一步包括:

在对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第一图案之前,以第一温度烘焙所述衬底。

9.如权利要求1的方法,进一步包括:

在对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第二图案之前,以第二温度烘焙所述衬底。

10.如权利要求1的方法,进一步包括:

在对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第二图案之后,将所述第二图案传递到所述衬底中。

11.如权利要求10的方法,其中将所述第二图案传递到所述衬底中包括刻蚀或离子注入所述衬底没有被所述光抗蚀剂层覆盖的部分。

12.一种光刻方法,包括:

在衬底之上形成光抗蚀剂层;

在所述光抗蚀剂层之上形成第一顶涂层;

将所述第一顶涂层和所述光抗蚀剂层曝光于第一辐射;

对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第一图案;

在所述光抗蚀剂层上形成第二顶涂层;

将所述第二顶涂层和所述光抗蚀剂层曝光于第二辐射;

去除所述第二顶涂层;以及

对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第二图案。

13.如权利要求12的方法,其中去除所述第二顶涂层包括使所述第二顶涂层与有机溶剂接触。

14.如权利要求13的方法,其中所述有机溶剂包括1-丁醇、甲醇、乙醇、1-丙醇、乙烯乙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、4-庚醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、2,4-二甲基-3-戊醇、3-乙基-2-戊醇、1-甲基环戊醇、2-甲基-1-己醇、2-甲基-2-己醇、2-甲基-3-己醇、3-甲基-3-己醇、4-甲基-3-己醇、5-甲基-1-己醇、5-甲基-2-己醇、5-甲基-3-己醇、4-甲基环己醇、1,3-丙二醇、辛醇、癸烷或包括两种或更多种上述溶剂的组合物。

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