[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一金属板、

被配置在所述第一金属板上且与所述第一金属板连接，并在与所述第一金属板侧相反的一侧具有第一电极的半导体芯片、

被配置在所述半导体芯片上并与所述第一电极连接的金属片、

一个端部与所述金属片连接的第一配线部、

与所述第一配线部的另一个端部连接的第二金属板。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片在与所述第一金属板侧相反的一侧具有第二电极，

且具备：一个端部与所述第二电极连接的第二配线部、和与所述第二配线部的另一个端部连接的第三金属板，

从所述半导体芯片的所述金属片侧的表面到所述金属片的与所述半导体芯片侧相反的一侧的表面的距离大于相对所述半导体芯片的所述金属片侧表面的所述第二配线部的高度。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一金属板、第二金属板和第三金属板分别是引线框的一部分，

所述引线框安装有控制所述半导体芯片的控制用IC和与所述半导体芯片电连接的二极管。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片具有：

由半导体构成的本体、

设置在所述本体的所述金属片侧表面上的第三电极、

设置在所述本体的所述金属片侧表面上的树脂制绝缘膜、

从所述绝缘膜的所述金属片侧的表面延伸到所述第三电极的第一通孔、

形成在所述第一通孔内的导电体；

将所述第一电极设置在所述绝缘膜上，且经由所述第一通孔内的导电体而与所述第三电极电连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片具有：

设置在所述绝缘膜上的无机绝缘膜、

从所述无机绝缘膜的所述金属片侧的表面向所述第三电极延伸且与所述第一通孔连通的第二通孔、

形成在所述第二通孔内的导电体；

将所述第一电极设置在所述无机绝缘膜上，且经由所述第一、第二通孔内的导电体而与所述第三电极电连接。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片包含氮化物半导体。

7.一种半导体装置的制造方法，制造权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备：

在所述第一金属板上配置所述半导体芯片并将所述半导体芯片与所述第一金属板连接的工序、

在所述半导体芯片上配置所述金属片并将所述金属片与所述第一电极连接的工序、

将所述金属片和所述第二金属板经由所述第一配线部相互连接的工序。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一配线部至少是一个导线，将所述金属片与所述第二金属板的连接由引线接合进行。