[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成隔断墙，该隔断墙包括沿第一方向延伸的多个条形部分；

在所述衬底上的所述隔断墙的多个条形部分之间分别形成发红色光的有机物层、发绿色光的有机物层和发蓝色光的有机物层；

以接触于所述隔断墙的方式在所述有机物层上形成电极；以及

沿垂直于所述第一方向的第二方向通过分离层从所述衬底分离包含所述隔断墙、所述有机物层和所述电极的叠层结构，

其中，发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并沿所述第一方向延伸。

2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，

其中，所述隔断墙使用无机材料而形成，

并且，所述无机材料是氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金刚石状碳中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，

其中，所述隔断墙使用有机材料而形成，

并且，所述有机材料是聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂和苯并环丁烯和硅氧烷中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，

其中，所述电极包括选自透光阳极、透光阴极、遮光阴极和遮光阳极中的材料。

5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，

其中，所述透光阳极包括选自氧化铟、氧化铟-氧化锡合金、包含硅或氧化硅的氧化铟-氧化锡、包含氧化钨及氧化锌的氧化铟、氧化铟氧化锌合金、氧化锌和添加有镓(Ga)的氧化锌中的材料。

6.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，

其中，所述遮光阴极的材料包括选自锂(Li)、铯(Cs)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、铕(Eu)和镱(Yb)中的材料。

7.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法，

其中，所述遮光阳极的材料包括选自金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)和钯(Pd)中的材料。

8.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成分离层；

在所述分离层上形成半导体电路元件层；

在所述半导体电路元件层上形成电连接于所述半导体电路元件层的多个第一电极；

在所述半导体电路元件层上形成重叠于所述多个第一电极的每个电极的端部的隔断墙，该隔断墙沿第一方向延伸；

分别在所述第一电极上形成发红色光的有机物层、发绿色光的有机物层和发蓝色光的有机物层；

以接触于所述隔断墙的方式在所述有机物层上形成第二电极；以及

沿垂直于所述第一方向的第二方向通过所述分离层从所述衬底分离包含所述半导体电路元件层、所述第一电极、所述隔断墙、所述有机物层和所述第二电极的叠层结构，

其中，发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，

所述发红色光的有机物层相邻地排列为一列的第一区域、所述发绿色光的有机物层相邻地排列为一列的第二区域和所述发蓝色光的有机物层相邻地排列为一列的第三区域沿所述第一方向延伸，

并且，所述隔断墙存在于所述第一区域与所述第二区域之间的区域、所述第二区域与所述第三区域之间的区域和所述第三区域与所述第一区域之间的区域。

9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，

其中，所述隔断墙使用无机材料而形成，

并且，所述无机材料是氧化硅、氮化硅、包含氮的氧化硅、包含氧的氮化硅和金刚石状碳中的至少一种。

10.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，

其中，所述隔断墙使用有机材料而形成，

并且，所述有机材料是聚酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、抗蚀剂和苯并环丁烯和硅氧烷中的至少一种。

11.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，

其中，所述第二电极包括选自透光阳极、透光阴极、遮光阴极和遮光阳极中的材料。