[发明专利]非阵列凸块的覆晶接合方法与构造有效
申请号: | 201010159749.2 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102237283A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 李国源;陈永祥 | 申请(专利权)人: | 华东科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/485;H01L23/28 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 接合 方法 构造 | ||
1.一种非阵列凸块的覆晶接合方法,其特征在于包含:
提供一基板,其上表面设有多个接垫;
形成多个支撑胶体于该基板的该上表面,该些支撑胶体之间形成为一底胶通道,以显露出该些接垫;
覆晶接合一芯片至该基板上,使该芯片的一主动面朝向该基板的该上表面并使该主动面的一凸块空白区黏附于该些支撑胶体,该芯片的该主动面设有多个非阵列的凸块,其位于该底胶通道中并对准于该些接垫;
施压该芯片,以使得该些支撑胶体形成有一超出该芯片的挤料边框,并使该些凸块接合至该些接垫,其中该挤料边框具有多个连通该底胶通道的开口;以及
经由该挤料边框的其中一开口提供一底部填充胶,直到该底部填充胶填满该底胶通道,以密封该些凸块。
2.根据权利要求1所述的非阵列凸块的覆晶接合方法,其特征在于其中所述的挤料边框的高度超过该底胶通道,更包覆至该芯片的主动面角隅。
3.根据权利要求1所述的非阵列凸块的覆晶接合方法,其特征在于其中所述的该些凸块设置于该芯片在该主动面上的多个中央焊垫。
4.根据权利要求1所述的非阵列凸块的覆晶接合方法,其特征在于其中所述的该些支撑胶体的形成高度大于该些凸块的高度,并且在压迫该芯片之后,该底胶通道的高度略小于该些凸块的高度。
5.根据权利要求1所述的非阵列凸块的覆晶接合方法,其特征在于其中所述的该些支撑胶体为B阶黏胶。
6.根据权利要求5所述的非阵列凸块的覆晶接合方法,其特征在于其中所述的该些支撑胶体的形成方法为先液态型态印刷在该基板的该上表面,再部分固化为B阶状态。
7.一种非阵列凸块的覆晶接合构造,其特征在于包含:
一基板,其上表面设有多个接垫;
多个支撑胶体,形成于该基板的该上表面,该些支撑胶体之间形成为一底胶通道,以显露出该些接垫;
一芯片,覆晶接合至该基板上,使该芯片的一主动面朝向该基板的该上表面并使该主动面的一凸块空白区黏附于该些支撑胶体,该芯片的该主动面设有多个非阵列的凸块,其位于该底胶通道中并对准于该些接垫,并且藉由施压该芯片,以使得该些支撑胶体形成有一超出该芯片的挤料边框,并使该些凸块接合至该些接垫,其中该挤料边框具有多个连通该底胶通道的开口;以及
一底部填充胶,经由该挤料边框的其中一开口所提供,该底部填充胶填满该底胶通道,以密封该些凸块。
8.根据权利要求7所述的非阵列凸块的覆晶接合构造,其特征在于其中所述的挤料边框的高度超过该底胶通道,更包覆至该芯片的主动面角隅。
9.根据权利要求7所述的非阵列凸块的覆晶接合构造,其特征在于其中所述的该些凸块设置于该芯片在该主动面上的多个中央焊垫。
10.根据权利要求7所述的非阵列凸块的覆晶接合构造,其特征在于其中所述的该些支撑胶体为B阶黏胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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