[发明专利]静电放电保护元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010160878.3 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102237341A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李扬汉;张纯 | 申请（专利权）人： | 普诚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;王璐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 元件 及其 制作方法 | ||
1.一种静电放电保护元件，其特征在于，包含：
一第一晶体管，具有一电连接一晶片的一输入/输出脚位的第一漏极，一电连接该晶片的一第一电压输入脚位的第一源极以及一第一栅极，其中该第一漏极为一内缩漏极；
一第二晶体管，具有一电连接该输入/输出脚位的第二漏极，一电连接该晶片的一第二电压输入脚位的第二源极以及一第二栅极；以及
一静电放电钳制电路，电连接该第一电压输入脚位与该第二电压输入脚位。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一源极包含一第一掺杂区与一设于该第一掺杂区中的第二掺杂区，该第一漏极包含一第三掺杂区与一设于该第三掺杂区中的第四掺杂区。
3.根据权利要求2所述的静电放电保护元件，其特征在于，另包含一薄氧化层，该薄氧化层设于环绕该第四掺杂区周围的该第三掺杂区所暴露出的表面。
4.根据权利要求2所述的静电放电保护元件，其特征在于，另包含多个场氧化层，所述场氧化层设于该第一栅极、该第一掺杂区以及该第三掺杂区之间。
5.根据权利要求4所述的静电放电保护元件，其特征在于，该第一漏极的该第四掺杂区为一内缩掺杂区，且该第四掺杂区不接触所述场氧化层。
6.一种制作静电放电保护元件的方法，其特征在于，包含：
提供一半导体基底；
形成一栅极于该半导体基底上；以及
形成一源极于该栅极一侧的该半导体基底中，该源极电连接一晶片的一电压输入脚位，并形成一漏极于该栅极另一侧的该半导体基底中，该漏极电连接该晶片的一输入/输出脚位，该源极包含一第一掺杂区与一设于该第一掺杂区中的第二掺杂区，该漏极包含一第三掺杂区与一设于该第三掺杂区中的第四掺杂区，且该第四掺杂区为一内缩掺杂区。
7.根据权利要求6所述的制作静电放电保护元件的方法，其特征在于，另包含形成一薄氧化层于环绕该第四掺杂区周围的该第三掺杂区所暴露出的表面。
8.根据权利要求6所述的制作静电放电保护元件的方法，其特征在于，另包含形成多个场氧化层于该栅极、该第一掺杂区以及该第三掺杂区之间。
9.根据权利要求8所述的制作静电放电保护元件的方法，其特征在于，该漏极的该第四掺杂区不接触所述场氧化层。
10.根据权利要求6所述的制作静电放电保护元件的方法，其特征在于，另包含形成一离子阱于该半导体基底中，且该第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区及该第四掺杂区均设于该离子阱中。
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