[发明专利]一种偏振无关光栅耦合器的制作方法无效
| 申请号： | 201010161238.4 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101833138A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 汪毅;邵士茜 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34;G02B5/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 无关 光栅 耦合器 制作方法 | ||
1.一种偏振无关光栅耦合器的制作方法，包括如下步骤：
(1)根据光栅耦合布拉格条件计算TM模式的周期TTM；
(2)根据光栅谐振条件计算TE模式的周期TTE；
(3)令TTM＝TTE，求得所述偏振无关光栅耦合器的上层材料厚度，将此时的TTM或TTE设置为该偏振无关光栅耦合器的周期；
(4)利用上述求得的上层材料厚度和设置的周期制作竖直Slot光栅；
(5)在上述竖直slot光栅的凹槽上部刻蚀一组浅刻蚀光栅，使得上述竖直Slot光栅变为T型槽光栅，调节所述浅刻蚀光栅的刻蚀宽度与刻蚀深度，使得当其在TE模式耦合输出效率最大、TM模式耦合效率不受影响时，此时刻蚀形成的T型槽光栅即为所求的偏振无关光栅耦合器。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的周期TTM为λ/neffTM，其中，λ为耦合波长，neffTM为TM模式的有效折射率。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在计算TE模式的周期TTE中，首先将光场束缚在一个布拉格光栅谐振器之中，此时，TE模式光栅耦合器的工作是遵循光栅谐振条件，从而光栅周期TTE在(2a±1)λ/4neffTE到aλ/2neffTE范围内，其中，neffTE为TE模式的有效折射率，λ为耦合波长，a为正整数。
4.根据权利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，所述的偏振无关光栅耦合器的材料可以是任何对TE和TM模式存在有效折射率差的材料。
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