[发明专利]发光元件、发光装置及电气设备无效
申请号: | 201010161317.5 | 申请日: | 2004-11-29 |
公开(公告)号: | CN101859877A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 井上英子;瀬尾哲史;下垣智子;安部寛子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32;C07F15/00;C09K11/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 装置 电气设备 | ||
1.发光元件,包括:
阳极;
阴极;及
阳极和阴极之间的包含具有下述通式(1)所示结构的有机金属络合物的层,
式中R1~R5表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种,Ar表示具有卤素基团或卤代烷基的芳基、或者具有卤素基团或卤代烷基的杂环残基,M表示第9族元素。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(2)所示的结构,
式中,R6~R9表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种;R6~R9的至少一个是卤素基团或者卤代烷基。
3.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(3)所示的结构,
式中,n=2,L表示具有β-二酮结构的单阴离子性的配体、具有羧基的单阴离子性的二齿螯合配体或者具有酚羟基的单阴离子性的二齿螯合配体的任一种。
4.如权利要求2所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(4)所示的结构,
式中,n=2,L表示具有β-二酮结构的单阴离子性的配体、具有羧基的单阴离子性的二齿螯合配体或者具有酚羟基的单阴离子性的二齿螯合配体的任一种。
5.如权利要求2所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(12)所示的结构,
式中,R10~R14表示选自氢、卤素、酰基、烷基、烷氧基、芳基、氰基和杂环残基的任一种。
6.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(13)所示的结构,
式中,R15或者R16表示卤素或卤代烷基。
7.如权利要求5所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(14)所示的结构,
式中,n=2,L表示具有β-二酮结构的单阴离子性的配体、具有羧基的单阴离子性的二齿螯合配体或者具有酚羟基的单阴离子性的二齿螯合配体的任一种。
8.如权利要求6所述的发光元件,其特征在于,有机金属络合物具有下述通式(15)所示的结构,
式中,n=2,L表示具有β-二酮结构的单阴离子性的配体、具有羧基的单阴离子性的二齿螯合配体或者具有酚羟基的单阴离子性的二齿螯合配体的任一种。
9.如权利要求3、4、7和8中任一项所述的发光元件,其特征在于,配体L是下述结构式(5)~(11)
所示的单阴离子性的二齿螯合配体的任一种。
10.如权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其特征在于,M是铱。
11.如权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其特征在于,使用了有机金属络合物作为发光体。
12.如权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其特征在于,使用了有机金属络合物作为辅助材料。
13.如权利要求12所述的发光元件,其特征在于,包含有机金属络合物的层还包含喹喔啉衍生物作为主体材料。
14.如权利要求1~8中任一项所述的发光元件,其特征在于,发光元件包括阳极和阴极之间的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层和电子传输层,并且包含有机金属络合物的层相当于发光层。
15.如权利要求14所述的发光元件,其特征在于,包含有机金属络合物的层还包含荧光化合物。
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