[发明专利]主动元件阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，所述主动元件阵列基板具有至少一图案化导电层，所述图案化导电层包括一铜层，所述铜层在平行铜层的一法线方向的一剖面是由一第一梯形与叠在第一梯形上的一第二梯形构成，所述第一梯形的底角与所述第二梯形的底角为角度差异介于5°至30°的锐角。

2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述第一梯形的底角与所述第二梯形的底角的角度差异介于7°至13°。

3.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述第一梯形的底角与所述第二梯形的底角的角度差异为10°。

4.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述图案化导电层还包括一阻障层，所述铜层叠在所述阻障层上。

5.根据权利要求4所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述阻障层的材料为选自由钼、钼合金、钛、钛合金、铝合金及铜合金所组成的族群中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述第一梯形的高大于所述第二梯形的高。

7.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述第一梯形的高介于1500埃至5000埃，而所述第二梯形的高介于50埃至1500埃。

8.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述图案化导电层是构成多个主动元件的多个栅极。

9.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述图案化导电层是构成多个主动元件的多个源极和/或漏极。

10.一种主动元件阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

以一第一沉积速率沉积一第一铜层于一基板上；

以一第二沉积速率沉积一第二铜层于所述第一铜层上，其中所述第一沉积速率大于所述第二沉积速率；以及

图案化所述第一铜层与所述第二铜层。

11.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板的制作方法，其特征在于，在图案化所述第一铜层与所述第二铜层后，所述第一铜层在平行第一铜层的一法线方向的一第一剖面是一第一梯形，所述第二铜层在平行第一铜层的法线方向的一第二剖面是一第二梯形，所述第一梯形的底角与所述第二梯形的底角为角度差异介于5°至30°的锐角。

12.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板的制作方法，其特征在于，沉积所述第一铜层与所述第二铜层的方法包括溅射法。

13.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一沉积速率是所述第二沉积速率的两倍以上。

14.根据权利要求10所述的主动元件阵列基板的制作方法，其特征在于，在沉积第一铜层之前，还包括沉积一阻障层于基板上，而所述第一铜层是沉积于所述阳障层上。