[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在上述半导体衬底的主面形成的选择晶体管；

在上述选择晶体管之上设置的层间绝缘膜；

插塞，贯穿上述层间绝缘膜而设置，与上述选择晶体管电连接；

相变材料层，以使其一部分连接在上述插塞上的方式被设置在上述层间绝缘膜之上；

在上述相变材料层之上设置的上部电极；以及

导电性的接合层，将上述相变材料层的上表面与上述上部电极的下表面接合。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述接合层包含从Ti膜、Al膜、Ta膜、Si膜、Ti氮化物膜、Al氮化物膜、Ta氮化物膜、W氮化物膜、TiSi膜、TaSi膜、WSi膜、TiW膜、TiAl氮化物膜、TaSi氮化物膜、TiSi氮化物膜、WSi氮化物膜中选出的1种或2种以上。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其特征在于，

上述接合层包括Ti和Te的化合物或Al和Te的化合物。