[发明专利]半导体装置、基板及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：半导体芯片；和

芯片接合部，该芯片接合部具有通过焊锡粘接剂而与半导体芯片的背面接合的接合面，

所述接合面的面积，小于所述半导体芯片的背面的面积。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：进而包含多个延伸部，这些延伸部分别从所述接合面的周边，向着与所述接合面平行的方向延伸。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：在所述半导体芯片与所述接合面接合的状态下，垂直俯视所述半导体芯片的表面时，所述延伸部的前端部到达所述半导体芯片的周边的外侧。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述接合面为矩形状；

所述延伸部，从所述接合面的角部延伸。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述延伸部，分别从所述接合面的4个角部延伸。

6.一种半导体装置，包含：半导体芯片；

岛；在该岛上所述半导体芯片被由片接合材料片接合；以及

被覆层，该被覆层形成在所述岛的一部分表面上，与该岛相比难以被所述片接合材料润湿，

未形成所述被覆层的所述岛的露出部，包含：

片接合部，该片接合部与所述半导体芯片的背面相对，而且面积小于所述半导体芯片的背面；和

校准部，该校准部从所述片接合部延伸出来，并且包含所述岛中的与所述半导体芯片的背面的角相对的位置。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：所述片接合材料，是焊锡；

所述被覆层，由焊锡不能润湿的材料形成。

8.一种基板，包含：

岛，在该岛上所述半导体芯片被由片接合材料片接合；和

被覆层，该被覆层在所述岛的一部分表面上形成，与该岛相比难以被所述片接合材料润湿，

未形成所述被覆层的所述岛的露出部，包含：

片接合部，该片接合部与所述半导体芯片的背面相对，而且面积小于所述半导体芯片的背面；和

校准部，该校准部从所述片接合部延伸出来，并且包含所述岛中的与所述半导体芯片的背面的角相对的位置。

9.如权利要求8所述的基板，其特征在于：所述片接合材料，是焊锡；

所述被覆层，由焊锡不能润湿的材料形成。

10.一种半导体装置的制造方法，包含：

准备岛的工序，在所述岛的一部分表面形成有与该岛相比难以被片接合材料润湿的被覆层，未形成所述被覆层的露出部包含片接合部和校准部，所述片接合部的面积小于半导体芯片的背面的面积，所述校准部从所述片接合部延伸出来，并且包含应与所述半导体芯片的背面的角相对的位置；

涂敷工序，该涂敷工序向所述露出部涂敷所述片接合材料；

搭载工序，该搭载工序使所述半导体芯片的背面与所述片接合部相对，并将所述半导体芯片搭载到在所述涂敷工序中涂敷了所述片接合材料的所述岛上；以及

校准工序，该校准工序使所述片接合材料熔化，所述半导体芯片的角在所述校准部上移动，进行所述半导体芯片的对位。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述准备岛的工序包含被覆层形成工序，该被覆层形成工序在除了与所述露出部对应的区域以外的所述岛的表面，涂敷与所述岛相比难以被所述片接合材料润湿的材料，形成所述被覆层。

12.如权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述片接合材料，是焊锡；

所述被覆层，由焊锡不能润湿的材料形成。