[发明专利]一种集成电路设计方法和设计仿真系统有效

专利信息
申请号: 201010162682.8 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN102236728A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 尹文;邹翾;庞则桂;刘玮;韩海涛 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李向英
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路设计 方法 设计 仿真 系统
【权利要求书】:

1.一种集成电路设计方法,包括:

确定要分析电源噪声的区域、该区域的初始面积和要使用的初始去耦电容个数;

确定该区域的电流模型参数;

确定该区域的初始面积对应的电源网络模型的模型参数;

将该区域的网表、该区域的初始面积、该区域要使用的初始去耦电容个数、该区域的电流模型参数、该区域的电源网络模型的模型参数输入到仿真器中,以获得仿真结果;

根据仿真结果,判断该区域在所述该区域的初始面积和所述该区域要使用的初始去耦电容个数下,是否满足芯片电源噪声要求;

如果该区域满足芯片电源噪声要求,则确定该初始面积为该区域在使用所述初始去耦电容个数下,满足芯片电源噪声要求的最小面积。

2.根据权利要求1所述的方法,该方法进一步包括:

如果该区域不满足电源噪声要求,则

以该区域要使用的初始去耦电容个数为当前去耦电容的个数起始值,将当前去耦电容的个数增加一个设定值;

判断当前去耦电容个数是否达到阈值;

如果当前耦电容个数没有达到阈值,

将当前区域、当前区域面积、当前去耦电容个数、电流模型参数、当前电源网络模型的模型参数输入到仿真器中,以获得仿真结果;

判断在当前区域面积和当前去耦电容个数下,该区域是否满足芯片电源噪声要求;

如果判断满足芯片电源噪声要求,则确定该区域在使用当前去耦电容个数下,当前区域面积为满足芯片电源噪声要求的最小面积;

如果判断不能满足芯片电源噪声要求,返回所述将当前去耦电容的个数增加一个设定值的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法,该方法进一步包括:

如果当前去耦电容个数达到阈值,则

以该区域的初始面积为当前区域面积起始值,将所述当前区域面积加上规定值;

重新确定所述当前区域面积对应的电源网络模型的模型参数;

将当前去耦电容个数恢复为要使用的初始去耦电容个数,然后返回所述将当前区域、当前区域面积、当前去耦电容个数、电流模型参数、当前电源网络模型的模型参数输入到仿真器中,以获得仿真结果步骤,继续进行后续步骤。

4.根据权利要求1所述的方法,该方法进一步包括:

如果该区域不满足电源噪声要求,则

以该区域的初始面积为当前区域面积起始值,将所述当前区域面积加上规定值;

重新确定所述当前区域面积对应的电源网络模型的模型参数,

将当前区域、当前区域面积、当前去耦电容个数、电流模型参数、当前电源网络模型的模型参数输入到仿真器中,以获得仿真结果;

判断在当前区域面积和当前去耦电容个数下,该区域是否满足芯片电源噪声要求;

如果判断满足芯片电源噪声要求,确定该区域在使用当前去耦电容个数下,当前区域面积为满足芯片电源噪声要求的最小面积;

如果判断不满足芯片电源噪声要求,则返回到所述将所述当前区域面积加上规定值的步骤,继续进行后续步骤。

5.根据权利要求1-4之一所述的方法,其中判断该区域在所述该区域的初始面积和要使用的初始去耦电容个数下,是否满足芯片电源噪声要求包括判断该区域的动态电压降是否满足要求。

6.根据权利要求2-4之一所述的方法,其中所述去耦电容个数的阈值根据该区域的初始面积、该区域内器件所占的面积以及单个去耦电容所占的面积来计算。

7.根据权利要求2-4之一所述的方法,其中所述面积增加的规定值与solder bump的特征尺寸相关。

8.根据权利要求1-6之一所述的方法,其中所述电流模型中,该区域被N×N个节点分割成(N-1)×(N-1)个大小相同的子区域,该区域的总电流根据该区域内的器件进行估计,节点电流分配方式为将该区域的总电流平均到各节点上,其中N是该区域中每边节点数目。

9.根据权利要求1-6之一所述的方法,其中所述电流模型中,该区域被N×N个节点分割成(N-1)×(N-1)个大小相同的子区域,该区域的总电流根据该区域内的器件进行估计,节点电流分配方式为:设该区域的总电流平均分配到每个子区域,各节点的电流为以该节点顶角的子区域电流四分之一的总和,其中N是该区域中每边节点数目。

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