[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201010163012.8 | 申请日: | 2000-12-21 |
公开(公告)号: | CN101834597A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 菅野雄介;水野弘之;阪田健;渡部隆夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
将第1电源电压作为动作电压、输出具有第1电源电压振幅的第1信号的第1电路,
将比第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压的第2电路,
将第1和第2电源电压作为动作电压、将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出的电平变换电路,
其特征在于:上述电平变换电路包括电平移动部分和电平确定部分,
所述电平移动部分用电容元件使上述第1信号的迁移电平升压,并产生在上述第2电源电压和比第2电源电压仅仅低一个第1电源电压的电压间进行迁移的第3信号,和使上述第1信号反转后的上述第1电源电压电平的反转信号;并且
所述电平确定部分将上述第1电源电压电平的反转信号连接到将N型MOSFET和P型MOSFET串联连接到接地电压和上述第2电源电压上的电路的上述N型MOSFET的栅极上,并将上述第3信号连接到上述P型MOSFET的栅极上,以进行电平确定。
2.一种半导体器件,包括:
将第1电源电压作为动作电压、输出具有第1电源电压振幅的第1信号的第1电路,
将比第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压的第2电路,
将第1和第2电源电压作为动作电压、将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出的电平变换电路,
其特征在于:上述电平变换电路包括电平移动部分和电平确定部分,
所述电平移动部分用电容元件使上述第1信号的迁移电平升压,产生以比上述第1电源电压高、比上述第2电源电压低的中间电压为基准的第4信号,
所述电平确定部分通过对上述第4信号进行放大来进行电平确定。
3.一种半导体器件,包括:
将第1电源电压作为动作电压、输出具有第1电源电压振幅的第1信号的第1电路,
将比第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压的第2电路,
将第1和第2电源电压作为动作电压、将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出的电平变换电路,
其特征在于:上述电平变换电路用具有与外部输入信号同步进行锁存动作的主锁存器部分和次锁存器部件的锁存器电路构成。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于:在主锁存器部分中具有对差动输入线对进行预充电的预充电电路。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其特征在于:向上述主锁存器部分的已经预充电的上述差动输入线对传送上述第1信号是通过电容元件的耦合效应进行的。
6.一种半导体器件,包括:
将第1电源电压作为动作电压、输出具有第1电源电压振幅的第1信号的第1电路,
将比第1电源电压高的第2电源电压作为动作电压的第2电路,和
将第1和第2电源电压作为动作电压将上述第1信号变换成与上述第2电源电压对应的信号振幅后向上述第2电路输出的电平变换电路,
其特征在于:上述电平变换电路包括:以第1电源电压为动作电压放大上述第1信号振幅的放大部分;以第2电源电压为动作电压将上述放大部分的输出信号变换成第2电源电压振幅的电平变换部分;以及保持该电平变换部分的输出的装置。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其特征在于:上述放大部分是电流读出型的放大装置。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,其特征在于:为了对上述放大部分的启动和停止进行控制,将以第2电源电压为动作电压的上述电平变换电路的输出信号用做反馈信号。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其特征在于:在反馈以上述第2电源电压为动作电压的输出信号时,使用将该输出信号的振幅电平变换为与以第1电源电压为动作电压的输入信号的振幅相等的反馈信号,该反馈信号的逻辑与该输入信号的逻辑相等,该输入信号在该电平变换电路中被变换成该输出信号,并且,在控制电路中使用异或电路,以便利用在传播到该反馈信号的延迟时间内,该输入信号与该反馈信号的逻辑不同,使该放大装置启动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技,未经株式会社瑞萨科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010163012.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。