[发明专利]一种半导体倒装焊封装散热改良方法有效
| 申请号： | 201010163357.3 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101840868A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 吴晓纯;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 倒装 封装 散热 改良 方法 | ||
1.一种半导体倒装焊封装散热改良方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)取一片半导体倒装焊封装用引线框架；
(2)将正面植有电互联材料的芯片倒装在引线框架的传输管脚上；
(3)用粘结物质将弹簧散热器粘在芯片背面，使弹簧散热器的一端与芯片相连；
(4)对已完成弹簧散热器植入作业的半成品用塑封料进行包封作业，使包封后弹簧散热器的另一端裸露于塑封体表面，并对包封后的半成品进行后固化作业；
(5)将排列在一起的半导体封装体独立分割开来，形成半导体倒装焊封装散热改良封装体。
2.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良方法，其特征在于，在所述的步骤(4)前，在引线框架背面贴上防止塑封料溢出用的胶膜，并在所述的步骤(4)后揭除胶膜。
3.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良方法，其特征在于，在所述的步骤(2)前，在引线框架上贴装被动元件，其中，所述的被动元件为电阻、或电容、或电感、或晶振。
4.根据权利要求1或3所述的半导体倒装焊封装散热改良方法，其特征在于，在所述的步骤(4)后，在弹簧散热器的另一端上加焊有外接散热装置。
5.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良方法，其特征在于，在所述的步骤(2)中的电互联材料为锡球、或铜柱、或金凸点、或合金凸块。
6.根据权利要求1所述的半导体倒装焊封装散热改良方法，其特征在于，在所述的步骤(4)中采用高温烘烤实行后固化作业。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
