[发明专利]用于制造场效应半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造在电流路径中使用碳纳米管的场效应半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：

形成由所述碳纳米管组成的电流路径，

使所述电流路径经历等离子体处理从而改变所述碳纳米管的物理或化学状态的步骤。

2.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其中所述等离子体处理在形成由所述碳纳米管构成的所述电流路径之后进行。

3.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用RF等离子体作为所述等离子体。

4.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用氧或氢作为用于所述等离子体处理的等离子体源。

5.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其中所述碳纳米管通过激光烧蚀工艺或化学气相沉积工艺制备。

6.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其中形成所述电流路径使得所述电流路径中所述碳纳米管的分散程度为0.1至10管/μm²。

7.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其中使用的所述碳纳米管具有0.1μm至10μm的长度。

8.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用乙醇或二甲基甲酰胺作为所述溶剂。

9.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其制造场效应晶体管，该场效应晶体管包括：栅极电极；源极电极和漏极电极，其形成为使得栅极绝缘膜设置在所述栅极电极与所述源极和漏极电极之间；以及沟道层，其作为所述电流路径形成在所述源极和漏极电极之间。

10.如权利要求1或9所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其制造具有p型或/和n型操作的晶体管。

11.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用单壁碳纳米管作为所述碳纳米管。